HfO2 高k 栅介质漏电流机制和SILC 效应.PDF

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2017-06-15 发布于天津
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HfO2 高k 栅介质漏电流机制和SILC 效应

25 7 Vol. 25,No.7 2004 7 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS July, 2004 * HfO2 k SILC 0 王成刚　韩德栋　杨　红　刘晓彦　王　玮　王　漪　康晋锋　韩汝琦 ( , 100871) : - ( 100) , p Si HfO2 HfO2 k ( SILC) . HfO , 2 , Schottky , , Schottky Frenkel- Poole . SILC ,HfO / Si , 2 ,, , Schottky ,Frenkel-Poole .SILC . : ; ; ; - ; HfO2 Schottky Frenkel Poole SILC PACC: 7360; 7755EEACC: 2550; 2530 : TN386: A: 0253-4177(2004) 07-0841-06 . k HfO2 2 1 HfO MOSFET ,,HfO2 MOSFET 0. 1Lm , ., EOT ( p-Si( 100) , 3.9 2 SiO HfO2 MOS ,- ) 3nm. SiO2 ( - ) , 2 I V HfO , [56] (SILC) , . , MOS . , 2 ( k ) HfO2[ 12] , [3] [4] 2 3 2 2 2 Al O ,ZrO SiO . ,HfO 5.010 - 8 cm p Si 15 - 3 CaF2