InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究INVESTIGATIONS ON ....PDF

Recommend Fa Home | Introduction | Editorial Board | Submission Guidelines | Downloads | OA Po InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究 Received: May 30, 2006 Revised: November 27, 2006 点此下载全文 引用本文：邓惠勇,方维政,洪学鹍,戴宁.InAs0.96Sb0.04红外薄膜的光学性质研究[J].Journal of Infrared and Millimeter Waves,2 Hits: 73 Download times: 91 邓惠勇 方维政 洪学鹍 戴宁 中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海200083 基金项目:国家自然科学基金 中文摘要:采用水平滑移石墨舟液相外延生长技术在n型(100)InAs衬底上生长了InAs0.96Sb0.04薄膜.在1.5～5.5 eV光子能量范围 下测试了其介电函数谱ε(E).基于电子带间跃迁和联合态密度理论,采用S. Adachi的MDF模型对ε(E)进行了拟合,并计算了各种临界 据与模型吻合得非常好,E1和E1 ∆1跃迁发生在布里渊区(BZ)的Λ轴或L点,分别对应于M1型临界点Λv5→Λc6(或Lv4.5→Lc6)和Λv 1型和M2型鞍点能量简并引起的,沿着BZ的Σ和∆轴方向. 中文关键词:InAsSb 光学常数 椭偏光谱 液相外延 红外 薄膜的光学性质 研究 OPTICAL PROPERTIES THIN FILMS 方向 子跃迁 实验数据 结果 临界点 计算 拟合 模型 度理论 子带间跃迁 INVESTIGATIONS ON OPTICAL PROPERTIES OF InAs0.96Sb0.04 INFRARED DENG Hui-Yong FANG Wei-Zheng HONG Xue-Kun DAI Ning National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 2 keywords: InAsSb optical constants ellipsometric spectra liquid phase epitaxy View Full Text View/Add Comment Download reader References(10): [1] Rakovska A, Berger V, Marcadet X, et al. Room temperature InAsSb photovoltaic midinfrared detector [ J ]. Appl. Phys. Lef [2] Gao Y Z, Gong X Y, Gui Y S, et al. Electrical properties of meh-epitaxy-grown InAs0.04Sb0.96 Layers with cutoff waveleng (3): 1051-1054. [3] Kim J D, Kim S, Wu D, et al. 8- 13µm InAsSb heteroj unction photodiode operating at near room temperature [J]. Appl. Phys [4] 李国华陈哗方再利等.半导体低维结构的压力光谱研究[J].红外与毫米波学报,2005,24(3):174—178. [5] Hung W K, Chem M Y,