IGBT的过去、现在和将来.pdf

IGBT 的过去、现在和将来 戚丽娜 张景超 刘利峰 赵善麒 江苏宏微科技股份有限公司，江苏省常州市，213022 摘要：绝缘栅双极晶体管（IGBT ），由于双极型三极管和绝缘栅型场效应管合成的复合型全 控型电压驱动式功率半导体器件，具有绝缘栅型场效应管的高输入阻抗及双极型三极管的低 导通压降、以及驱动电路简单、安全工作区宽等优点，作为电力电子系统的核心开关器件， IGBT 起了不可取代的关键的作用。如何继续提升IGBT 性能和可靠性，如何不断降低IGBT 制造成本，如何让国产IGBT 跟上世界领先水平，需要深刻理解IGBT 的发展历程，需要清 晰认识自己的优势与不足，需要透彻掌握领先技术的精髓，需要投入更多的人力、物力研发 新方法、新材料，需要时刻关注世界领先厂家的发展方向及业界需要。本文主要针对IGBT 的发展历程、国内外现状、目前一些先进的技术方法和新材料以及今后的发展方向做一些阐 述，帮助我们及时总结和发现，及时理解和发展。 关键词：IGBT 由来、现状、新结构新材料（SiC ）、发展方向。 中图分类号： The Past, Present and Future of IGBT QI Lina ZHANG Jingchao LIU Lifeng ZHAO Shanqi MACMIC Science Technology CO.,LTD, Changzhou, Jiangsu Province, China 213022 Abstract ：Insulated Gate Bipolar Transistor （IGBT ） is created by the functional integration of MOS and bipolar device technologies in monolithic chip. It combines the advantages of the existing families of MOS and bipolar devices to achieve optimal device characteristics, approximately fulfilling the criteria of the ideal power switch, such as high input impedance, low on-resistance, simple drive circuit, widely SOA area and so on. We should know about the history of IGBT, learn more about advanced structure and materials, pay more attention to the trend of development if we want to improve the performance of IGBT, decrease the product cost and keep up with the advanced technology. Keywords：IGBT history status new structure and new material future 1 引 言 能力的特点，且具有高耐压能力，目前量产 全球能源危机及气候变暖的威胁使人们 IGBT 产品耐压已经做到 6500V，而实验室已 经做到8000V，IGBT 是高压大电流高频MOS 在追求经济发展的同时越来越重视绿色环 控制型双极晶体管，是适应了电力电子器件 （也叫功率半导体器件）的发展而产生的 保，节能减排。电力电子是节能减排的王牌