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二、本征载流子浓度及影响因素;2. 影响 ni 的因素;3. 杂质半导体载流子浓度积与 ni 关系;在常温下，已知施主浓度 ND，并且全部电离，求导带电子浓度 no 和价带空穴浓度 po;在常温下，已知受主浓度 NA，并且全部电离，求导带电子浓度 no 和价带空穴浓度 po ;三、本征半导体在应用上的限制;●本征载流子浓度随温度变化很大;四、杂质半导体载流子浓度和费米能级;由np乘积关系可得;;讨论：;（3）掺杂半导体（ND-NAni或ND-NAni）;杂质半导体费米能级的确定;n型Si中电子浓度n 与温度T的关系：;ND;计算掺杂半导体的载流子浓度时，需首先考虑属于何种温区。;例.已知： ;或： ;例.已知：Si中NA=1022/m3=1016/cm3
T=300K和600K，分别求;或：; 600K时，ni=8×1015/cm3
;五、简并半导体中的杂质能级 ;杂质带导电：
杂质能带中的电子通过在杂质原子之间的
共有化运动参加导电的现象。;;●施主能级分裂成能带；
●导带 = 本征导带 + 杂质能带
●在 EC 附近，gC(E) 明显增加
;● 电子占据量子态的几率：;● 载流子浓度：;● 本征半导体：;半导体中的导电性;§4.1 载流子的漂移运动和迁移率 ;E;二、欧姆定律 ;三、电导率 ? 的表达式 ;ds表示A处与电流垂直的小面积元，小柱体的高为 ;其中 n 是电子浓度，q 是电子电荷 ;其中σ为材料的电导率 ;因为电子带负电，所以Vdn一般应和 E 反向，习惯上迁移率只取正值，即;对于空穴，有 ：;影响迁移率的因素;电阻率 ;对 n 型半导体： ;在饱和电离区： ; 本征： ; 电阻率的一般公式： ;小 结
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