对称双量子阱中.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 #% $ 0 $ ， ， ， RS- 1#% QS 1 $ T)C:)UV 0 （ ） $6/’,0,#% $ ,5J065 *KL* 4MNOPK* OPQPK* 0 K=9C 1 4=V+ 1 OSB 1 $$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$$ 对称!#$% #’ () !’ (* #$ 双量子阱中 激子的束缚能! 张 红 刘 磊 刘建军! （河北师范大学物理科学与信息工程学院，石家庄 #$% ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） % % $ % % $’ 在有效质量近似下采用简单的尝试波函数变分地计算了对称()*+,*- () *+ 双量子阱中激子体系束缚能， ./ .0 研究了体系束缚能随阱宽和垒宽的变化情况1 发现双量子阱中激子体系束缚能随阱宽变化同单量子阱情况类似， 但束缚能的峰值出现在阱宽为$2 左右，峰值位置小于单阱的情况；束缚能随垒宽的增加有一极小值，这与波函数 向垒中的渗透有关1 关键词：对称双量子阱，激子，束缚能 ： ， ， +#,, 0$/# 0/3 0$$#4 等材料参数决定，而在双量子阱中还要受到垒宽的 $. 引 言 影响1 本文采用了一个参数的尝试波函数变分地计 算了对称()*+,*- ./ () .0 *+ 双量子阱中激子的束缚 分子束外延和金属化学气相沉积技术的发展使 能随垒宽和阱宽的变化情况，并同单量子阱中的结 得制备高质量的低维半导体异质结构得以实现 这 1 果进行了比较1 些技术可将生长层的厚度控制在原子的量级，当势 垒层的厚度小到一定程度时，两个相邻阱之间的耦 . 理论框架 合作用将变得非常重要，这样就形成了超晶格或多 量子阱结构1 这种半导体异质结构具有许多有趣的 我们首先考虑单粒子（电子或空穴）在阱宽为 物理特性，特别是在器件制备上（如红外探测器、共 垒宽为 的对称双量子阱中的运动，选取材料 !D ! ? 振隧穿二极管和弹道晶体管等）有着潜在的应用价 的生长方向为 轴，取垒心为坐标原点，其哈密顿可 值，因此在理论和实验上引起了人们极大的关 以表示为 ［— ］ $ %