《微纳电子技术》2012年第2期摘要.PDFVIP

微纳电子技术 2012 年第二期 技术论坛 P69- 纳电子学的发展（续） 器件与技术 P78- 基区设计对 InGaP/GaAs HBT 热稳定性的影响 材料与结构 P83- 纳米 ZnO 光学性质研究进展 P90- ZnO纳米晶须的形态控制及其结构表征 MEMS 与传感器 P96- 压阻式压力传感器灵敏度与线性度的仿真方法 P102- 单偏置电压多位分布式 MEMS 传输线移相器 P108- 地震勘探用电容式闭环微加速度计的仿真 P113- 直接栅 MOSFET 静电场传感器温度漂移模型和模拟 加工、测量与设备 P118- 基于 LIGA 技术制作金属微针阵列 P124- 剥离工艺制作 SAW 滤波器 IDT 的研究 P129- 基于 UV-LIGA 技术的双层微齿轮模具镶块工艺 P134- 过硫酸铵在 TMAH 体硅刻蚀中的作用 技术论坛 纳电子学的发展（续） 赵正平 (中国电子科技集团公司，北京 100846) 中图分类号：TN4 文献标识码：A 文章编号：1671-4776(2012)02-0069-09 Development of Nanoelectronics(Continued) Zhao Zhengping (China Electronics Technology Group Corporation,Beijing 100846,China) DOI:10.3969/j.issn.1671-4776.2012.02.001EEACC:2500 器件与技术 基区设计对 InGaP/GaAs HBT 热稳定性的影响 余曙芬，陈延湖，李惠军，冯尚功，郭琪 （山东大学信息科学与工程学院，济南250100 ） 摘要：研究了不同基区设计对多发射极指结构功率 InGaP/GaAs 异质 结双极型晶体管热稳定性的影响。以发生电流增益崩塌的临界功率密 度为热稳定性判定标准，推导了热电反馈系数Φ、集电极电流理想因 子η和热阻Rth 与基区掺杂浓度NB、基区厚度 dB 的理论公式。基于 TCAD 虚拟实验，观测了不同基区掺杂浓度和不同基区厚度分别对 InGaP/GaAs HBT 热稳定性的影响。结合理论公式，对仿真实验曲线 进行了分析。结果表明，基区设计参数对热稳定性有明显的影响，其 影响规律不是单调变化的。通过基区外延层参数的优化设计，可以改 进多指 HBT 器件的热稳定性，从而为多指 InGaP/GaAs HBT 热稳定性 设计提供了一个新的途径。 关键词：InGaP/GaAs HBT；基区设计；热稳定性；电流增益崩塌；热 电反馈系数；集电极电流理想因子；热阻 中图分类号：TN325.3 文献标识码：A 文章编号：1671-4776(2012)02-0078-05 Effect of the Base Design on the Thermal Stability of InGaP/GaAs HBTs Yu Shufen, Chen Yanhu, Li Huijun, Feng Shanggong, Guo Qi ( College of Information Science and Engineering, Shandong University, Jinan 250100, China) Abstract:The effect of different base designs on the thermal stability of multi emitter finger structure power InGaP/GaAs heterojunction bipolar transistor (HBT) was researched. Taking the critical power density at the collapse of the curren