一个带自热效应的新型LDMOS解析模型 - 硬件和射频工程师.PDFVIP

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2017-06-19 发布于天津
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一个带自热效应的新型LDMOS解析模型 - 硬件和射频工程师

第39卷第4期微电子学 V01．39，No．4 2009年8月 MZcr卯fecfr口糟fcs Aug．2009 ·模型与算法- 一个带自热效应的新型LDMOS解析模型高雯，杨东旭，余志平 (清华大学微电子研究所，北京100084) 摘要：介绍了一个带自热效应的新型LDMOS解析式模型。通过研究以闽值电压为基础的 BSIM3v3模型，增加了对漂移区影响的考虑，同时，加入自热效应影响，且不用引入单独的自热网络，有效地提高了计算效率。模型中引入有物理背景的新参数来描述LDMoS特有的准饱和效应和自热效应。在计算实验中，模拟数据很好地吻合实际器件的测量数据，证明该模型适用于ID MOS功率器件在电路中的仿真。关键词： LDMOS；自热效应；BSIM3v3；解析模型中图分类号：TP386．1 文献标识码：A AnInnoVatiVe ModelforLDMOSwith Effects Analytical Sel卜Heating GA0 Wen，YANG Dongxu，YUZhiping 100084，P．R．Chi加) (J雄5胁“跆D，Mic埘Z比fr伽掂s，nin动懈Lkiw坶i砂，BP巧ing innovative modelforUⅪ小)s Thisnovel Abstract：Ananalytical includingself_heatingeffects、张s presented LDMOSmodel、Ⅳas from based ofthedrain-e耐 threshold_voltagemodel，BSlM3v3．E“ects physics—based developed d“ft includedand weresimulatedwithout thenllal Allnew region、vere effects network sel卜heating usingseparate ofthismoddhave calculatedj．Vcharacteristicsfromthisrrlodelarein par锄eters physicsmeanings．’r．he good with denlonstratesits forsimulationofcircuits agreementexperimentaldata，which suitability incorporatingpower LDMOSdevices． model KeywOrds：LDMOS；Self-heatingeffect；BSIM3v3；Analytical EEACC：2570F MOS建模方法。荷兰飞利浦的MM20模型[1]和日 1