微机原理第三讲的课件.ppt

* 工作方式 CE OE PGM A9 VPP DO7～DO0 读出 0 0 1 × ＋5V 输出 读出禁止 0 1 1 × ＋5V 高阻 维持 1 × × × ＋5V 高阻 编程 0 1 负脉冲 × ＋21V 输入 编程校验 0 0 1 × ＋21V 输出 编程禁止 1 × × × ＋21V 高阻 2764功能表 * 3.3.4 电可擦除可编程只读ROM(E2PROM) 采用加电方法在线进行以字节为单位擦除和编程，也可多次擦写。内设编程所需高压脉冲产生电路，可在线写入，但写入时间较长（10ms）。 * 存储器字数 单片存储器字数 存储器位数 单片存储器位数 =所需芯片总数 例：要构成16KB的存储器，需要几片2K*2bit的RAM存储器？ 3.4 存储器的扩展 * 一、位扩展（只加大位长，存储体的字数与存储器芯片字数一致） 用64K×1bit的芯片扩展实现64KB存储器 进行位扩展时，模块中所有芯片的地址线和控制线互连形成整个模块的地址线和控制线，而各芯片的数据线并列（位线扩展）形成整个模块的数据线（8bit宽度）。 ⑧ 64K*1 I/O ⑦ 64K*1 I/O ⑥ 64K*1 I/O ⑤ 64K*1 I/O ④ 64K*1 I/O ③ 64K*1 I/O ② 64K*1 I/O cs ① 64K×1 I/O D0 D7 … A16 A0 ~ A15 RD WR * 例：假设用8K*2bit的RAM芯片组成8K*8bit的存储器，地址范围为38000H-39FFFH. * 二、字扩展（只加大字长，存储体的位数与存储器芯片位数一致） 用8K×8bit的2764芯片扩展实现64KB存储器 进行字扩展时，模块中所有芯片的地址线、控制线和数据线互连形成整个模块的低位地址线、控制线和数据线 ， CPU的高位地址线（扩展的字线）被用来译码以形成对各个芯片的选择线 —— 片选线 。 A0 ~ A12 RD D0 ~ D7 ⑧ 64K*1 D0~7 ⑦ 64K*1 D0~7 ⑥ 64K*1 D0~7 ⑤ 64K*1 D0~7 ④ 64K*1 D0~7 ③ 64K*1 D0~7 ② 64K*1 D0~7 CS1 ① 8K×8 D0~7 译 码 器 Y0 Y1 Y7 … …… A13 A14 A15 G G2A G2B C B A A18 A16 A17 A19 * 例：用几片6116（2K*8bit）组成4KB的存储器，要求存储器地址范围为7C000H-7CFFFH. * 三、字位同时扩展 用16K×4bit的芯片扩展实现32KB存储器 首先对芯片分组进行位扩展，以实现按字节编址； 其次设计芯片组的片选进行字扩展，以满足容量要求； 本例采用部分译码方式。 16K×4 16K×4 A0~ A13 RD WR D0 ~D3 D4~ D7 A15 A14 16K×4 16K×4 A16 G B A 译 码 器 * . . . 00001H 00003H 00005H FFFFDH FFFFFH . . . 00000H 00002H 00004H FFFFCH FFFFEH 512KB 512KB D15-D8 D7-D0 A19-A1 BHE A0 3.5 存储体与8086CPU的连接 * * 用两片6116（2K*8bit）扩展成4KB存储器和8086系统相连 D7-D0 D15-D8 A11-A1 A10-A0 A10-A0 D7-D0 D7-D0 R/W R/W . OE OE WR RD CS CS . A0 BHE G1 G2A Y0 G2B C B A 1 1 . A19 A18 A12 A13 A14 A17 A16 A15 D15-D0 * 例1：用2K×8bit的6116组成8KB的存储体与8086CPU连接。 * 微机原理及应用 第三章存储器 * 第3章 半导体存储器 3.1 存储器概述 3.2 随机存取存储器(RAM) 3.3 只读存储器(ROM) 3.4 存储器与CPU的连接 * 内存 储器 （半 导体 存储 器） 读写 存储 器RAM 只读 存储 器ROM 静态RAM（SRAM）:存取时间为几十纳秒，集成度比较高，每片容量为几KB到几十KB 动态RAM（DRAM）:集成度特别高，每片容量为几十MB 掩模式ROM：厂家做好后只能读取信息，不能修改 可编程PROM：用户可以对其进行一次性写入，一旦写入不能修改 可擦写EPROM：用紫外线擦除存储内容，擦除后可以重新写入 电擦写E2PROM：用电的方法擦除 3.1 存储器概述 3.