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海纳电子资讯网： 目 录 1 CSI24WC0 1/02/04/08/16 ……………………………….2-10 2 CSI24WC32/64…………………………………………...11-18 3 CSI24WC128. ……………………………..…………….19-26 4 CSI24WC256. ………………………….….…………….27-34 1 海纳电子资讯网： CAT24WC01/02/04/08/16 2 1K/2K/4K/8K/16K 位串行E PROM 特性 与 2 总线兼容 400KHz I C 到 伏工作电压范围 1.8 6.0 低功耗CMOS 技术 写保护功能 当 为高电平时进入写保护状态 WP 页写缓冲器 自定时擦写周期 编程擦除周期 1,000,000 / 可保存数据 年 100 8 脚DIP SOIC 或TSSOP 封装 温度范围 商业级 工业级和汽车级 概述 是一个 位串行 2 内部含有 CAT24WC01/02/04/08/16 1K/2K/4K/8K/16K CMOS E PROM 个 位字节 公司的先进 技术实质上减少了器件的功耗 128/256/512/1024/2048 8 CATALYST CMOS 有一个 字节页写缓冲器 有一个 字节页写缓冲器 该器件通过 CAT24WC01 8 CAT24WC02/04/08/16 16 I2C 总线接口进行操作 有一个专门的写保护功能 管脚配置 管脚描述 管脚名称 功能 A0 A1 A2 器件地址选择 SDA 串行数据地址 / SCL 串行时钟 WP 写保护 Vcc +1.8V 6.0V 工作电压 Vss 地 2 海纳电子资讯网： 方框图 极限参数 工作温度 工业级 -55 +125 商业级 0 +75 贮存温度 -65 +150 各管脚承受电压 -2.0 Vcc+2.0V Vcc 管脚承受电压 -2.0 +7.0V 封装功率损耗 T =25 1.0W a 焊接温度 秒 300 (10 ) 输出短路电流 100mA 可靠性参数 符号 参数 最小 最大 单位 参考测试模式 N 耐久性 1,000,000 周期字节 测试方法 END / MIL-STD-8