SD时钟芯片系列.pdf

高精度实时时钟完全解决方案－SD2405 系列 内置电池、晶振、串行NVSRAM/EEPROM、12 字节RAM 、 I IC 接口、多种中断输出、高精度、免调校 SD2400 系列是一种具有内置晶振、支持IIC 串行接口的高精度实时时钟芯片，CPU 可使用该接口通过5 位 地址寻址来读写片内32 字节寄存器的数据(包括时间寄存器、 报警 寄存器、控制寄存器、通用 SRAM 寄 存器) 。 SD2400 系列 内置晶振 , 该芯片可保证时钟精度为± 5ppm(在25℃下)，即年误差小于2.5 分钟；该芯片 内置时钟精度调整功能，可以在很宽的范围内校正时钟的偏差(分辨力3ppm)，通过 外置或 内置的数字温 度传感器可设定适应温度变化的调整值，实现在宽温范围内高精度的计时功能。 SD2400 系列内置的一次性 工业级 电池或充电电池可保证 在外部掉电情况下 时钟使用寿命为 5～8 年时 间 ；内部具备电源切换电路，当芯片检测到主电源 V DD 掉到电池 电压以下 , 芯片会 自动转为由备电 电池供电。 SD2400 系列内置单路定时 /报警中断输出,报警中断时间最长可设至100 年；内置频率中断输出和倒计时 中断输出。 SD2400 系列采用了多种提高芯片可靠性的技术 ,可满足对实时时钟芯片的各种需要，是在选用高精度实时 时钟时的理想选择。 l 低功耗： 1.0 μ A 典型值 ( 时钟电路部分， Ta=25℃) 。 l 工作电压： 3.3V～5.5V，工作温度： 民用级 0 ℃～ 70 ℃，工业级－ 40 ℃～ 85 ℃。 l 标准 IIC 总线接口方式, 时钟电路最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。 l 年、月、日、星期、时、分、秒的 BCD 码输入/输出,并可 通过独立的地址访问各时间寄存器 。 l 闰年自动调整功能 (从2000 年～2099 年)。 l 可选择 12/24 小时制式. l 内置年、月、日、星期、时、分、秒 共 7 字节 的报警数据寄存器及 1 字节 的报警允许寄存器。 l 内置 12 字节通用SRAM 寄存器 可用于存储用户的一般数据。 l 三种中断均可选择从 INT 脚输出 , 并具有两个中断标志位 . l 可设定 并自动重置 的单路报警中断功能（时间范围 最长 设至 100 年）,年、月、日、星期、时、分、 秒报警共有96 种组合方式，并有单事件报警和周期性报警两种中断输出 模式 . l 周期性频率中断输出 : 从 32768 Hz ～ 1/16Hz „„ 1 秒 共十 五 种方波脉冲 . l 自动重置 的 8 位倒计时定时器,可选的4 种时钟源（4096HZ 、 64HZ 、 1HZ、 1/60HZ ） 。 l 内置晶振，出厂前已对时钟进行校准，时钟精度为± 5ppm(在 25 ℃± 1 ℃下 )，即年误差小于2.5 分 钟。 l 内置时钟精度数字调整功能，可通过程序来调整走时的快慢。用户采用外置或内置的温度传感器，设定 适应温度变化的调整值， 可 实现在宽温范围内高精度的计时功能 (在-10 ℃ ～ 50 ℃小于 5 ppm, 在 -40 ℃ ～ 85 ℃小于 10 ppm) 。 l 内置备电自动切换功能 ，芯片依据不同的电压自动从 V DD 切换到V BAT 或从V BAT 切换到V DD 。 l 在 V BAT 模式下，芯片具有中断输出允许或禁止的功能 , 可满足在备用电池供电时输出中断的需要。 l 内置的充电电池及充电电路，累计电池电量超过550m Ah,电池使用寿命为5～8 年时间；内置的一次性 民用级电池使用寿命为3～5 年，一次性工业级电池使用寿命为5～8 年时间。 l 内置的 16kbit ～ 256kbit 非易失性 SRAM （C/D/E 型） , 其读写次数为 100 亿次，且内部写延时 小于 300ns 。 l 内置的 2kbit ～ 256kbitE 2 PROM （F/B/C/D/E 型） , 其擦写次数 100 万次 l 内置 IIC 总线0.5 秒自动复位功能(从Start 命令开始计时),保证时钟数据的有效性及可靠性 , 避免总 线挂死问题。 l 内置三个 时钟数据 写保护位 , 避免对数据的误写操作，可更好地保护时钟数据。 l 内置 V BAT 模式 IIC 总线通信禁止功能，从而避免在电池供电时 CPU 对时钟操作所消耗的电池电量， 也可避免在主电源上 、 下电的过程中因 CPU 的 I/O 端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写 操作，进一步提高时钟芯片的可靠性。 l 内置上电复位电路及指示位 ;