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先进的扇出晶圆级封装进展YonggangJin.pdf

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先进的扇出晶圆级封装进展YonggangJin

19 4 Vol. 19 ,No. 4 第 卷第 期 功能材料与器件学报 2013 8 JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES Aug.,2013 年 月 文章编号:1007 - 4252 (20 13)04 - 0 177 - 06 先进的扇出晶圆级封装进展 a Yonggang Jin ,Jerome Teysseyre ,Anandan Ramasamy ,Yun Liu ,Bing Hong Huang (a. Department of CPA ,STMicrolectronics Singapore) : WLP , I / O , 摘要 扇出 是在晶圆一级加工的埋置型封装 也是一个 数量大 集成灵活性高的主要先进 。 , 。 , 封装工艺 而且 它能在一个封装内实现垂直和水平方向多芯片集成且不用衬底 这样 扇出 WLP , 、 3D SiP 。 WLP 技术目前正在发展成为下一代封装技术 如多芯片 低剖面封装和 扇出 不仅用 , 、 IC LED 。 于电子封装 而且用于传感器 功率 和 封装 本文报导作为先进封装解决方案的下一代扇 出WLP 的进展情况。 中图分类号:TB 文献标识码:A , 、 0 引言 或层压封装比较 它的优点是封装占有面积较小 适 I / O 、 、 ( ) 合中等至高数量 连接密度最大化 以及能得到 电子装备 如移动电话 已经从单一的通讯装 。 满意的电性能和热性能 它也为无线电市场提供了 置转变为一个集成系统, 、 是综合许多特点 设计精巧 高性能的节能解决方法。 。 , 的多用途小装置 随着这种趋势向前发展 用于手 提电子设备的半导体封装比过去任何时候面临更多 。 、 挑战 互连间隙不断增长的失配 同一面积内加入 各种特性和应用的不同芯片、 以及减少封装尺寸以 增加电池大小延长使用期等已打开了创新埋置型封 装技术的窗口。 , WLP , 为了应对上述的挑战 研发了扇出 技术 它能为硅芯片面积顶部上的较高I / O 芯片的布线提 , WLP WLB 供额外空间 在常规 或 中这是不可能 的。 根据I / O 数目与器件,WLP 的应用正在向新领

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