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半导体量子器件物理讲座第二讲高电子迁移率晶体管HEMT
半导体量子器件物理讲座
＊
(HEMT)
王 良 臣
( 100083)
,
.HEMT 、I-V .
, ,
HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTORS
WANG Liang-Chen
(Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China )
Abstract Assuming the formation of a two-dimensional electron gas in a triangular otential well at the heterointerin-
face we calculate both the quantized energy level and the interface sheet electron concentration.O timization of high the
electron mobility transistors, the charge control model and the current-voltage characteristics of these transistors are then
analyzed.
Key words 2DEG, HEMT, otential well
.
1 2DEG ,
2DEG .
[1]
1960 , (Anderson) HEMT 、
.1969 , Easki Tsu [2] ,
, .
., ,
. 2 (HEMT)
, .1978 ,
[3]
Dingle
., GaAs 2.1
n-AlGaAs, N-AlGaAs GaAs
[4] .AlGaAs GaAs ( ,
(2DEG) ,
.1980 , GaAs n-Alx Eg Al0.22Ga0.78As=1.70eV, Eg GaAs = 1.42eV, ΔEg =
[5]
Ga1-xAs , 0.28eV).
(HEMT ). , N-AlGaAs
, MBE MOCVD GaAs , AlGaAs .
, , AlGaAs , GaAs
HEMT .HEMT 、、、
, , ＊ 2000-03-30 , 2000-11-24
30 (2001 )4
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