第一章+51单片机的基本结构与工作原理.ppt

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第一章51单片机的基本结构与工作原理资料

简单测控实例原理图 P1.3作输入端口 光路通畅,R亮?2K? 光路阻断,R暗? 400K ? R亮 2.2K? R暗 250K ? JOB3: CLR P1.1 ;亮绿灯 REDO: SETB P1.3 ;P1.3作输入口必先置1 CHECK:JNB P1.3,CHECK ;检测通道是否被阻断? LOOP: ………… ;有入侵者,报警! AJMP REDO ;再跳回去检测 红外防盗报警 P1.3口用于输入状态检测的语句: 红外线光路通畅时,P1.3端=低电平 红外线光路阻断时,P1.3端=高电平 单片机的引脚(P0口) P0.0—P0.7: 准双向I/O (内置场效应管上拉) 寻址外部存储器时分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口;不接存储器时可作为8位准双向I/O口使用。 2 1 D Q CK /Q 读引脚 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制 引脚P0.X 3 4 Vcc 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =1 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制 引脚P0.X 3 4 控制=0 时,此脚作输入口(事先必须对它写“1”) 0 0 1 0 0 截止 截止 =0 Vcc 单片机的引脚(P0口) P0.0—P0.7: 准双向I/O (内置场效应管上拉) 寻址外部存储器时分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口;不接外部存储器时可作为8位准双向I/O口使用。 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =0 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制=1 引脚P0.X 3 4 控制=1时,此脚作地址/数据复用口:(1)输出地址/数据 =0 时 1 0 1 1 =0 导通 截止 =0 Vcc 单片机的引脚(P0口) P0.0—P0.7: 准双向I/O (内置场效应管上拉) 寻址外部存储器时分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口;不接外部存储器时可作为8位准双向I/O口使用。 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =0 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制=1 引脚P0.X 3 4 控制=1时,此脚作地址/数据复用口:(2)输出地址/数据 =1 时 1 1 0 0 =1 截止 导通 =1 Vcc 单片机的引脚(P0口) P0.0—P0.7: 双向I/O (内置场效应管上拉) 寻址外部程序存储器时分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口;不接外部程序存储器时可作为8位准双向I/O口使用。 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =1 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址/数据 控制=1 引脚P0.X 3 4 控制=1时,此脚作地址/数据复用口: (3)输入数据时,输入指令将使引脚与内部总线直通 Vcc 单片机的引脚(P0口) P0.0—P0.7: 准双向I/O (内置场效应管上拉) 寻址外部存储器时分时作为双向8位数据口和输出低8位地址复用口;不接外部存储器时可作为8位准双向I/O口使用。 单片机的引脚(P2口) P2.0—P2.7: 准双向I/O (内置了上拉电阻) 寻址外部存储器时输出高8位地址;不接外部存储器时可作为8位准双向I/O口使用。 2 1 D Q CK /Q 读引脚 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址高8位 控制 引脚 P2.X 3 内部上拉电阻 Vcc 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =0 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址高8位 控制 引脚P2.X 控制=0时,此脚作通用输出口: 输出=1时 1 1 0 截止 3 内部上拉电阻 1 1 Vcc =1 =0 单片机的引脚(P2口) P2.0—P2.7: 准双向I/O (内置了上拉电阻) 寻址外部存储器时输出高8位地址;不接外部存储器时可作为8位准双向I/O口使用。 2 1 D Q CK /Q 读引脚 =0 读锁存器 写锁存器 内部总线 地址高8位 控制 引脚P2.X 控制=0时,此脚作通用输出口:输出=0时 0 0 1 导通 3 内部上拉电阻 0 0 Vcc =0 =0 单片机的引脚(P2口) P2.0—P2.7: 准双向I/O (内置了上拉电阻) 寻址外部存储器时输出高8位地址;不接外部存储器时可作为8位准双向I/O口使用。 ▼特殊功能寄存器不能作为普通的RAM存储单元来使用。只有在编程中根据需要,进行一些特定功能的设定,或者是从中查寻相关部件的状态时,才能进行读、写操作。如中断方式的设定、定时器工作模式的设定,查询串行口发送或接收是否结束等等。 有21个SFR 已知的P0、P1、P2、P3等四个8位I/O口

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