第一章基本半导体分立器件ok.ppt

* 1.3晶体三极管 1.3.1 晶体管的结构及类型 1.3.2 晶体管的电流放大作用 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4　晶体管的主要参数 1.3.5　温度对晶体管三极管参数的影响 1.3.6　光电三极管 * 1.3.1晶体管的结构及类型 半导体三极管是电子电路重要器件,它通过一定的工艺,将两个PN结结合在一起,由于两个PN结的相互影响,使三极管具有电流放大作用.从二极管发展到三极管,这是一个质得飞跃. 1、分类 按材料分：①硅管；②锗管 按功率分：①小功率管；②中功率管；③大功率管 按结构分：①NPN；②PNP * 2、NPN和PNP管的结构示意及符号 PN结 PN结 发射区 发射极emitter 基区 基极base 集电区 集电极collector 集电结 发射结 E C B NPN 型 (1)符号中的箭头方向是三极管的实际电流方向 符号 (2)三极管有三个区： 发射区—发射极e； 基区——基极b； 集电区——集电极c。 (3)发射区掺杂浓度远高于基区掺杂浓度，基区很薄且掺杂的浓度低；而集电结面积比发射结面积大得多，所三极管的发射极与集电极不能对调使用。 * 2、NPN和PNP管的结构示意及符号 PN结 PN结 发射区 发射极emitter 基区 基极base 集电区 集电极collector 集电结 发射结 E C B PNP 型 (1)符号中的箭头方向是三极管的实际电流方向 符号 (2)三极管有三个区： 发射区—发射极e； 基区——基极b； 集电区——集电极c。 (3)发射区掺杂浓度远高于基区掺杂浓度，基区很薄且掺杂的浓度低；而集电结面积比发射结面积大得多，所三极管的发射极与集电极不能对调使用。 * 常见晶体管的外形 * 常见晶体管的外形 * 1.3.1晶体管的结构及类型 复习页 NPN结构示意及符号 集电结 发射结 发射极 基极 集电极 集电区 基区 发射区 c b e E C B 电路符号 * 1.3.1晶体管的结构及类型 复习页 PNP结构示意及符号 集电结 发射结 发射极 基极 集电极 集电区 基区 发射区 c b e E C B 电路符号 * 发射结 正偏 集电结 反偏 UBB Rb UCC RC 1.3.2晶体管的电流放大作用 N P N IC IB 1、三极管内的载流子的传输过程（以NPN为例） 电源接法: UBB 使发射结正偏 UBE=0.7V＞0 UCC 使集电结反偏 UBC＜ 0 为了达到这个目的, 要保证 UCC＞UBB （2）电子在基区的扩散与复合，形成基极电流IB。因为基区很薄，且掺杂浓度低，电子只有一小部份被基区的空穴复合，大部份电子很快到达集电结边缘。 (1)由于发射结正偏，因此高掺杂浓度的发射区中的多子（自由电子）越过发射结，向基区扩散，形成发射极电流IE。 IE （3）由于集电结反偏，扩散到集电结边缘的电子，很快被吸引越过集电结，形成集电极电流IC。 * 2、电流分配关系 N P N Rb UBB IC IE IB （以NPN为例） 三极管内的载流子运动规律 _ 发射极电流IE 集电极电流I C 基极电流IB 三极管的直流电流放大系数 * 2、电流分配关系 （以NPN为例） 发射极电流IE 集电极电流I C 基极电流IB 三极管的直流电流放大系数 ICEO叫做穿透电流,当ICBO较小时,可以忽略不计,此时， * 输 入 回 路 输 出 回 路 (1)无交流信号 UBB接输入回路,使发射结正偏 UCC接输出回路,使集电结反偏 在这种偏置下产生 　　IE、IC、IB、 　　IC=β IB,这是对直流电流的放大作用. 3、三极管的电流放大作用 UBB UCC RC RB IC=βIB IE =IC+IB IB 如图所示称为三极管的共发射极放大电路。因为这个电路中包含由三极管的基极b与发射极e构成的输入回路和由集电极c与发射极e构成的输出回路，三极管的发射极作为输入和输出回路的公共端， 所以称为共发射极放大电路。 三极管的共发射极放大电路 * (2)加入交流信号后 A.ΔIc是ΔIB的β倍,三极管对ΔIB有放大作用,β越大,控制能力越强,所以三极管是一个有电流放大的电流控制元件. B.ΔIc在RC上产生的输出电压ΔUo,而ΔUo比ΔUi大约大几十倍,可以得到电压放大。 3、三极管的电流放大作用 UBB UCC RC RB * 1.3.3晶体管的共射特性曲线