振铃吸收电路用普通整流二极管比快恢复二极管好.pdfVIP

实验证明振铃吸收电路用普通整流二极管比快恢复二极管好 作者：狐说笆道 实验工具和部分材料 （两个不同厂家的 18w LED 驱动、18w LED 灯板、 ISDS205B 示波器及其它辅助材料）如图 实验过程： 1、分别测量两个LED 驱动的振铃吸收电路中电容上的电压波形 1 号驱动的振铃吸收电路由RS1M 快恢复二极管、1000v1000p 瓷片电容和 200k 贴片电阻组成，下图是 1 号驱动的振铃吸收电路和示波器接入方法 （示波 器的地线接整流滤波后的正极，探头接吸收电路的中间；如果示波器的地线接电 源负极，则测得的电压增加300 多v，测量精度也下降不少） 测得电压波形如下 IC 内的场管截断前，电容上的电压高于电源电压约99v，当场管截断时，振 铃电压会将1000pF 电容充电到约142v，也就是电容上的电压上升约43v，但该 电压在波峰后的192ns 时间内下降约33v 到约109v，然后间歇期放电到约99v， 迎接下一个振铃波峰的到来。电容上电压快速下降的原因肯定是快速放电，而快 速放电只能通过快恢复二极管RS1M ，也就是说，虽然是快恢复二极管，但也存 在反应时间 （查资料得RS1M 的最大恢复时间为0.5 μs），在本次测量中，是在 192ns 时间内，二极管PN 结内的载流子尚未消失，所以可以反向导电，将波峰 时给电容充的电释放约3/4，因为此时的释放，初级是回路的一部分，此时初级 回路加反向电流，其感应是增大了次级正向电流，所以这3/4 是被电路回收利用 了的，另外的 1/4 在间歇期释放，这部分是损耗。这个驱动电路的工作频率约 63kHz，周期约16 μs，振铃脉冲占不到1 μs，也就是在约15 μs 的时间，1000pF 电容放电约9.5v，在平均电压约 104v 下，200k 电阻可以将 1000pF 电容放电 104v/200k*15 μs/1000pF=7.8v，实测是下降约10v，相差的约2v 可考虑为快恢复 二极管的结电容影响以及测量误差。从这几个数值也可以求出振铃吸收电路中电 阻消耗的功率，电阻上的平均电压为104v，消耗功率P= 104*104/200000=0.054w， 电容上另有约0.012w 的功率通过PN 结电容释放，这部分主要在开关管上损耗。 2 号驱动的振铃吸收电路是普通整流二极管M7 、1000v 1000p 瓷片电容和 150k 贴片电阻组成，吸收电路电容上的电压波形如下 2 号驱动的频率约48kHz，周期约21 μs，可见由于周期更长，电阻更小， 电容上的电压下降更多，约15v，同时，由于第一个振铃波峰过去后，振铃波谷 时电容上电压下降较多，出现了较为明显的第二个振铃波峰。 2 、拆除振铃吸收电路的电阻 以前见过有的电路上的振铃吸收电路只有二极管和电容，也见过某厂家在 网上宣称他们的振铃吸收电路无损耗但没公开电路，怀疑是不是就是不用电阻， 为了试试能不能完全依靠二极管恢复期间的反向电流来对电容进行放电，把电路 中的电阻拆除测试，发现电容的电压被充得很高，几乎没有波动，而IC 的输出 端振铃电压高达184v，波形如下 3 、将振铃吸收电路的电阻增大 将 1 号驱动的200k 电阻换成510k，测得振铃吸收电路电容上的电压波形 如下，可见电容上的电压提高不少，振铃电压也提高约 6v，振铃前后的电压差 也减小约4v，可见振铃吸收电路的效果减小，损耗也减小 将2 号驱动的150k 电阻换成510k，振铃吸收电路电容上的电压波形如下。 换电阻前，振铃脉冲最高电压约112v，但捕捉到的 112v 脉冲极少，捕捉到的高 值以111v 为主，换电阻后，振铃脉冲最高电压仍为112v ，捕捉到的112v 脉冲较 多，也就是说，把 150k 电阻换成510k 后，振铃电压提高大约 1v，而振铃前的 电压由约68v （最低67v）提高到了约76v，电压差由约15v 下降到约6v。可见， 适当增大电阻后，振铃波峰并没有明显上升，但损耗明显下降。第二个振铃波峰 明显减小，但仍明显，应该可以将电阻再适当增大。 4 、更换1 号驱动振铃吸收电路的二极管 将 1 号驱动振铃吸收电路的快恢复二极管 RS1M 换成普通整流