High Temperature1 3μm AlGaInAsIn PStrained Multiquantum Well Laser Grownby Metalorganic Va.pdf

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2017-08-23 发布于浙江
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　第 20 卷第 3 期　　　　　　　　半　导　体　学　报　　　　　　　　 . 20, . 3　 V o l N o 　1999 年 3 月　　　　　　　　　　　　 . , 1999　 CH IN ESE JOU RNAL O F SEM ICONDU CTOR S M ar 1. 3 H igh Tem perature m A lGa InA s InP Stra ined M ultiquan tum W ell Laser Grown by M etalorgan ic Vapor Phase Ep itaxy ( ) ( ) ( ) Chen Bo 陈　博 , W ang X iao jie 汪孝杰 , W ang W ei 王　圩 (N ational Research Center fo r Op toelectronics T echno logy, Institute of Sem iconducto rs, T he Ch inese A cadem y of Sciences, Beijing　100083) 　 Abstract W e have investigated the A lGa InA s InP comp ressively strained layer separate ( ) , confinem ent hetero structure m ultiquantum w ell SCH M QW laser structure w h ich w as . grow n by L ow P ressure M etalo rganic V apo r phase Ep itaxy T he T 0 of A lGa InA s