LMH2N65高压MOSFET规格书.pdf

LMH2N65 650V ，2A ，3.5Ω，N 型MOSFET芯片 版本 1.0 ⽇期2013.06.20 产品说明 1.产品描述  650V VDMOS技术  低的导通电阻  快的开关速度  显著提升的dv/dt 能力  高质量的钝化层用以保证高的封装良率和可靠性 2.产品应用  AC-DC开关电源  LED照明  马达驱动 3. 电路结构图 电路结构图 1 LMH2N65 650V ，2A ，3.5Ω ，N 型MOSFET芯片 4. 电参数特性 绝对最大额定值 (TJ = 25℃ 除非特别说明) 符号 参数 单位 规格 VDS 最高漏源电压 V 650 VGS 栅源电压 V ±30 I @TC=25℃ 连续导通的漏极电流,VGS @ 10V  A 2 D I @TC=100℃ 连续导通的漏极电流,VGS @ 10V  A 1.25 D IDM 脉冲漏极电流  A 8 ISM 脉冲源极电流 体二极管 ( ) A 8 dv/dt 漏极电压变化率 V nS 4.5 EAS 单脉冲雪崩能量  mJ 120 IAS 单脉冲雪崩电流  A 2.0 TJ 结温 ℃ -50 to + 150 TSTG 存储温度范围 ℃ -50 to + 150 1 根据TJ （max ）= 150°在TO-251 封装，使⽤结到外壳热阻. 2 重复额定值,脉冲宽度被最⼤节温所限制. 3 测试条件L=60mH, IAS=2.0A, VDD=50V, RG=50Ω,Starting TJ=25℃ 5. 电学特性参数 电学特性(芯片测试) (TJ = 25℃ 除非特别说明) 符号 参数 测试条件 单位 最小值 典型值 最大值 V(BR) 漏源击穿电压 V =0V,I =250μA V 650 695 - DSS GS D R 静态漏源导通电阻 V =10V,I = 1A Ω - 4.4 5.5 DS(on) GS D V 阈值电压 V =V ,I =250μA V 2 3.7