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A8稀磁半导体的杂质动力学模拟研究-材料导报
材料导报 研究篇 年 月下第 卷第 期
稀磁半导体的杂质动力学模拟研究
张玉光唐 政
华东师范大学极化材料与器件教育部重点实验室上海
摘要 结合第一性原理计算和动力学蒙特卡罗模拟研究了稀磁半导体 中 杂质的沉积动力学
规律利用第一性原理计算和爬坡弹性带方法计算了 杂质的跃迁势垒和结合能并把这些能量作为动力学蒙特
卡罗模拟 微观结构演化的输入数据结果表明在外延生长退火下长时间的微观结构演化的背后机制
是 空位调节 原子在 子晶格上进行扩散这种扩散会导致 原子的聚集进而降低了居里温度此外
随着退火温度的升高团簇聚集的速率也更快在高温退火下容易导致相分离
关键词 稀磁半导体 掺杂 动力学蒙特卡罗
中图分类号 文献标识码
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