Ge在HPGe晶体中的响应.doc

Ge 在HPGe晶体中的响应 问题的提起： 物理量： 具有一定能量的Ge原子被阻滞在Ge中，其中多少能量损失在电离过程。 （即在晶体中产生了多少电荷） QF 解决办法 理论计算： Lindhart 理论 实验测量 10 keV—1 MeV 与理论基本一致 10 keV 以下？ 实验与理论有差异 3 keV 以下？ 介绍两种实验 利用非弹性散射，即73Ge(n,n’), 1—1.8keV 利用俘获反应，即73Ge(n, γ)，几百eV（254eV） 关于 反冲Ge的QF 实验设想 Ge 的天然同位素成分 同位素 70 72 73 74 76 天然丰度(%) 21.23 27.66 7.73 35.94 7.44 二. 能级: 同位素 70 72 73 74 76 基态(Jπ) 0+ 0+ 9/2+ 0+ 0+ 1st 1039.25(2+) 691.55(0+) 13.27(5/2+) 595.85(2+) 562.93(2+) 2nd 1215.41(0+) 834.14(2+) 66.72(1/2-) 1204.2(2+) 1108.44(2+) 3rd 1707.9(2+) 1464.1(2+) 68.75(7/2+) 1463.7(4+) 1410.08(4+) 4th 2153.5(4+) 1728.4(4+) 353.56(5/2-) 1482.8(0+) 1539.46(3+) 反应截面 Inelastic: Elastic: 四． 运动学 ER 能量与入射中子能量和角度的关系 四．中子源 第一步选择 En = 2 MeV 散射角度：30 –90 度， ER = 7 – 60 keV 第二步选择 En = 1 MeV 散射角度：30 –90 度， ER = 3 – 30 keV 五． HPGe 样品 3 cm3 平面型