X射线衍射仪的原理及其在高分子科学中的应用张吉东试卷.ppt

Reflectivity Interference The mutual influence, under certain conditions, of two streams of light, or series of pulsations of sound, or, generally, two waves or vibrations of any kind, producing certain characteristic phenomena, as colored fringes, dark bands, or darkness, in the case of light, silence or increased intensity in sounds; Interference → thickness θm2 = m2 ?2 / 4d2 + θc2 d = ? / 2 (θm+1 - θm ) Kiessig oscillation X射线衍射表征高分子材料 EVA * Our system d = 8.8 / Δ2θ (nm) d = ? / 2 (θm+1 - θm ) Reflectivity X射线衍射表征高分子材料 Simulation Fitting Software Leptos Simplex Simulated Annealing Levenberg-Marquardt Genetic algorithm REFSIM Simplex Simulated Annealing Monte Carlo Threshold Acceptance Reflectivity X射线衍射表征高分子材料 Reflectivity X射线衍射表征高分子材料 Reflectivity Multilayer X射线衍射表征高分子材料 Reflectivity Roughness SiO2/Au Actual R 0.3nm/1.2nm R 0.0nm/0.0nm X射线衍射表征高分子材料 B.Lehr, M.Seufert, G.Wenz, G.Decher, Fabrication of poly(p-phenylene vinylene) nanoheterocomposite films via layer by layer adsorption. Supromolecular Science 1995(2)199-207 100.9、62.5、43.1、8.8 nm X射线衍射表征高分子材料 Reflectivity A.Lee, L.Hamon, Y.Holl, Y.Grohens, Density profiles in thin PMMA supported films investigated by X-ray reflectometry. Langmuir 2001(17)7664-7669 X射线衍射表征高分子材料 Reflectivity K.Kago, M.Furst, H.Matsuka, H.Yamaka, T.Seki, Direct observation of photoisomerization of a polymer monolayer on a water surface by X-ray reflectometry. Langmuir 1999(15)2237-2240 X射线衍射表征高分子材料 Concentration distribution Si X射线衍射表征高分子材料 Reflectivity Si/SiO2 Organic Semiconductor OTS/ PEDOT OTFT/pentacene 1(non)/3(OTS) cm2/Vs Solar cell/MPc:C60 1.6%(non)/3.5%(PEDOT) X射线衍射表征高分子材料 Reflectivity 《晶态聚合物结构和X射线衍射》 （第二版）,莫志深，张宏放 ,张吉东，科学出版社 2011 张吉东,莫志深, 大学化学,2009,24(2):1 参考资料 * 本课初步普及知识，详细的有X射线衍射课。 * 无机晶体以原子为点，聚合物以链段为点，蛋白质以整个分子为点。聚合物链段为点有高分子定义争论的故事。 * X射线衍射的核心公式。推导过程。 * 衍射图基本构成：横轴角度或衍射矢量，纵轴强度。分析的层次：看山是山，看山不是山，看山是山。 * 最早的衍射图都是通过照相法得到的，因为程序比较复杂使得照相法逐渐不被使用。目前只有升级的IP法还在使用。 * 主要用于纤维样品，X射线垂直于纤维入射 * 主要用于粉末样品，X射线也垂直于样品入射。 * 探测器vs底片，更方便。此张为单