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BT169D EK 详细参数请见PDF资料.pdf
Philips Semiconductors Product specification
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Thyristor BT169W Series
logic level
GENERAL DESCRIPTION QUICK REFERENCE DATA
Glass passivated, sensitive gate SYMBOL PARAMETER MAX. MAX. MAX. MAX. UNIT
thyristor in a plastic envelope, suitable
for surface mounting, intended for use BT169 BW DW EW GW
in general purpose switching and VDRM, Repetitive peak 200 400 500 600 V
phase control applications. This VRRM off-state voltages
device is intended to be interfaced IT(AV) Average on-state 0.5 0.5 0.5 0.5 A
directly to microcontrollers, logic current
integrated circuits and other low IT(RMS) RMS on-state current 0.8 0.8 0.8 0.8 A
power gate trigger circuits. ITSM Non-repetitive peak 8 8 8 8 A
on-state current
PINNING - SOT223 PIN CONFIGURATION SYMBOL
PIN DESCRIPTION
4
1 cathode a k
2 anode
3 gate
tab anode 1 2 3 g
LIMITING VALUES
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134).
SYMBOL
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