SD6800 使用手册(T8)-v0.1.ppt

内容 一 芯片简介 二 典型应用原理图 三 系统设计应用笔记 1. VCC设计 三 系统设计应用笔记 2. FB脚设计 三 系统设计应用笔记 3. COMP脚设计 三 系统设计应用笔记 三 系统设计应用笔记 5. CS脚设计 三 系统设计应用笔记 7. 变压器设计 三 系统设计应用笔记 第三:计算相应的导通时间ton： 三 系统设计应用笔记 三 系统设计应用笔记 8. 系统功率因数（PF）设计 三 系统设计应用笔记 8. 输出电流过冲 三 系统设计应用笔记 9. 其它设计注意事项 (1):驱动下降沿电阻，会影响线性调整率，下降沿越慢，需要加大补偿量(即将FB上下分压电阻同比例变小)；建议此IC应用驱动下降沿尽量加快，即采用 驱动设计B电路较合适； (2):IC内部有最高频率点限制，副边二极管最大和最小导通时间限制，所以在频率太高时会出断续状态，为正常现象; (3):正常工作FB点工作电压设定，FB点电压为1.20V(90%的内部过压基准)左右,这样的目的开路时输出电压基本上等额定输出电压的1.1倍，开路输出电压不会太高; 四.应用实例 2.应用原理图 3.DEMO 实物图 4.测试数据 4,测试数据 4.测试数据 4.测试数据 4.测试数据 5.DEMO设计参考 5.DEMO设计参考 (6)：计算副边绕组匝数Ns 5.DEMO设计参考 FB端过压点典型值为VFB-OV=1.42V 7.DEMO BOM JET 2A保险丝 1 F1 39 TDK VARISTOR 07D471 压敏电阻 1 MOV 38 SILAN(士兰微) 7A 650V 高压 MOSFET SVF7N65F 1 Q1 37 SILAN(士兰微) PSR 控制器 SD6800 1 U1 36 N/A 空心磁珠3.5*5 孔1mm 1 磁珠 35 N/A 360uH 2A共模扼流圈 1 L4 34 N/A 2mH 1A 工字电感 1 L3 33 N/A 40mH 0.5A共模扼流圈(磁芯骨架 EE12 绕线0.19mm 140T ) 1 L2 32 N/A 1mH 0.5A 共模扼流圈 1 L1 31 N/A 变压器, EE2609 1 T1 30 ONSEMI MUR440 4A 400V快速二极管 1 D4 29 DIODES US1M 1A 1kV 快速二极管 1 D3 28 ONSEMI IN4148 1A 100V 快速二极管 1 D2 27 DIODES BAV21W 0.2A 200V 快速二极管 1 D1 26 FAIRCHILD DF06S 整流桥 1 DB1 25 TDK 2200pF Y容 1 CY 24 Panasonic 0.15uF 275Vac 安规电容 1 CX1 23 SANCON 470uF 50V 电解电容 2 C7 C8 22 Murata 100pF 1206 1kV表贴 1 C6 21 Murata 2.2nF 1kV X7R 1206表贴 1 C5 20 Murata 0.1uF 50V X7R 0805表贴 1 C4 19 供应商 描述 数量 符号 编号 Silan 士兰微电子 诚信 忍耐 探索 热情 Faith Endurance Exploration Enthusiasm Company Confidential, don’t copy Page * Silan 士兰微电子 诚信 忍耐 探索 热情 Faith Endurance Exploration Enthusiasm Company Confidential, don’t copy Page * * Silan 士兰微电子 诚信 忍耐 探索 热情 Faith Endurance Exploration Enthusiasm Company Confidential, don’t copy SD6800 使用手册(T8 TUBE) Silan Power Group Mar 2013 V0.1 芯片功能简介 典型应用原理图 系统设计应用笔记 四. 应用实例 原边控制模式（PSR） 有源功率因数校正功能（APFC） 较高的电源转换效率 超低IC启动电流，系统快速启动 VCC过压保护，VCC欠压保护 LED开路