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三极管的高频等效模型 例题 解： 模型参数为 例4.7.1 设共射放大电路在室温下运行，其参数为： 负载开路，Rb足够大忽略不计。试计算它的低频电压增益和上限频率。 中低频电压增益为 又因为 所以上限频率为 2. 低频响应 ①低频等效电路 极间电容开路 留下电路中的耦合电容、旁路电容 2. 低频响应 ①低频等效电路 Rb=（Rb1 || Rb2）远大于R?i R?i Re和Rb视为开路 2. 低频响应 ①低频等效电路 Ce’和C1串联的 将Ce折算到基极回路： ，CeCb2 Ce对输出回路的影响忽略 中频区(即通常内)源电压增益 当 则 下限频率取决于 2. 低频响应 ②低频响应 当 幅频响应 相频响应 一般表达式。 低通频率响应 AVSM：中频响应 AVSM 相位滞后0～-90° f在上面，很小时可省略虚部，不影响低频 上限转折频率 幅频响应 相频响应 一般表达式。 高通频率响应 AVSM：中频响应 AVSM 下限转折频率 相位超前0～-90° f在下面，很大时可省略虚部，不影响高频 幅频响应 相频响应 幅频响应 相频响应 低通 高通 重点：！ 一般表达式。 标准表示式： 低频段表达式： 中频段表达式： 高频段表达式： 完全表示： AVSM 求频率特性的三要素：AVSM，fH，fL. AVSM 低频段表达式： 中频段表达式： 高频段表达式： （1）低频区：考虑耦合电容和旁路电容，极间电容开路。 放大器的频率响应可以分频区进行 （2）中频区：耦合电容和旁路电容短路，极间电容开路。 （3）高频区：考虑极间电容，耦合电容和旁路电容短路。 4.7.2 BJT的高频小信号模型及频率参数 1. BJT的高频小信号模型 ①模型的引出 rbe ——发射结电阻re归算到基极回路的电阻 Cbe ——发射结电容 rbc ——集电结电阻 Cbc ——集电结电容 rbb ——基区的体电阻 BJT的高频小信号模型 b是假想的基区内的一个点 b rbb rbe Cbe rbc Cbc re ——发射区体电阻 rc ——集电区体电阻 re rc 4.7.2 BJT的高频小信号模型及频率参数 1. BJT的高频小信号模型 ①模型的引出 BJT的高频小信号模型 b rbb rbe Cbe rbc Cbc re ——发射区体电阻 rc ——集电区体电阻 re rc 发射区体电阻和集电区体电阻很小可以略去 4.7.2 BJT的高频小信号模型及频率参数 1. BJT的高频小信号模型 ①模型的引出 互导 或跨导 几十毫西 导出BJT的高频小信号模型 b rbb rbe Cbe rbc Cbc re rc 由于结电容的影响，受控源不再与Ib成正比。 而受控于Vb e 由此可见gm是与频率无关的 ?0和rb’e的比值，因此gm与频率无关。若IE=1mA，gm=1mA/26mV≈38mS。 gm称为跨导，还可写成 β0 反映了三极管内部， 对流经 rbe的电流的放大作用。 是真正具有电流放大作用的部分，β0 即低频时的β。而： ②简化模型 1. BJT的高频小信号模型 都是BJT放大时的等效反偏结电阻，所以很大 可以开路 混合?形高频小信号模型 2. BJT高频小信号模型中元件参数值的获得 低频时，混合?模型与H参数模型等价 所以 VT温度电压当量 又因为 所以 2. BJT高频小信号模型中元件参数值的获得 低频时，混合?模型与H参数模型等价 Q点上参数 受控电流源： 所以 Cb’c : 2~10pF(Cμ) 几十到几百pF(Cπ) 从手册中查出 fT--特征频率 其他参数的获得： 近似估算时，用器件手册上的Cob代替。 Cob是BJT接成共基极形式且发射极开路时，CB间的结电容。 e b c re rb’e rbb’ rb’c rc 三极管结构： b’ Cb’e Cb’c Cb’c : 2~10pF(Cμ) 几十到几百pF(Cπ) 从手册中查出 特征频率 3. BJT的频率参数 由H参数可知 即 根据混合?模型得 低频时 所以 C节点，b支路方程 电流增益的高频表示 交流短路 当 时， 令 ? 的幅频响应 ——共发射极截止频率 ——特征频率 ——共基极截止频率 3. BJT的频率参数 ? 的相频响应? ——特征频率 时的频率 得： 如果 由 得 则 发射结转折频率 BJT共射转折频率 由 f?＝(1＋?0)f?≈f?＋fT BJT的共基极截止频率f? 远大于共射极截止频率f? 特征频率fT 常用于衡量BJT的高频特性 4.7.3 单级共射极放大电路的频率响应 分三频段分析，避开所有电容一起分析的复杂性 低频电路 4.7.3 单级共射极放大电路的频率响应 1. 高频响应 ①?形高频等效电