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4.机台设备规范-国家实验研究院
財團法人國家實驗研究院
國家奈米元件實驗室
8吋後段濕式蝕刻清洗系統
招標規範書
1. 說明 3
2.採購標的內容及數量 3
3.設備標準及法規： 3
4.機台設備規範: 4
5.槽體組成： 5
6.審查文件 7
7. 得標廠商注意事項 8
8. 履約期限 9
9.驗收標準(含教育訓練)： 9
10. 保固： 11
11. 其他 11
12.附件一： 12
1. 說明
本規範適用於國家奈米元件實驗室（以下簡稱 NDL）， 8吋後段用濕式蝕刻清洗機台之設計製造、驗收、安裝等基本要求，對於本招標規範書有任何疑問，應依NDL 業主需求解釋為準。
2.採購標的內容及數量
8後段濕式蝕刻清洗系統壹式，詳細規範如下：
2.1.採購標的內容：
2.1.1. 設備適用於8吋（200mm）矽晶圓，批次式（25片）之濕式清洗與蝕刻製程。
2.1.2. 設備本體尺寸大小設計以長×寬×高(200㎝×200㎝×250㎝)以內為原則。
2.1.3. 機台內包含H2SO4(H3PO4共用)TANK×1、BOE TANK×1、快沖槽(QDR)×2、 N2 GUN＆ D.I GUN各一組、機械手臂2座。
2.1.4. 得標廠商必須連帶負責8吋晶圓乾燥用旋乾機(Spin Rinse Drier)及其二次配管之銜接工程，該旋乾機由NDL提供。
2.1.5. 得標廠商須自行負責設備與廠務系統銜接之POWER、CDA、N2、Exhaust、Drain、Reclaim、UPW、Chemical等相關之二次配管工程。（所有的相關工程須符合NDL「新購設備機台之通用版廠務系統二次配管工程規範(98/09/01版)」才能進行施工。
2.1.6. 得標廠商須協助將本機台預定安裝位置區域(附3樓無塵室平面圖)之停用設備搬移至指定地點置放。
3.設備標準及法規：
機台設備之製造、設計需符合以下適用之法規與標準：
3.1. Safety Guidelines for Semiconductor Manufacturing Equipment，SEMI S2＆S3。
3.2. 美國國家消防協會(National Fire Protection Association，NFPA)
3.2.1. Flammable and Combustible Liquid Code，NFPA30。
3.2.2. Standard for the Protection of clean room，NFPA30。
3.2.3. Standard for the Protection of Semiconductor Fabrication Facilities，NFPA318。
4.機台設備規範:
4.1. 概述：機台以半自動方式將8吋×1晶舟上貨，晶舟置於ROBOT上貨區位置，按下『啟動鍵』，ROBOT將自動移至製程槽進行預設之蝕刻、清洗及QDR製程、通知下貨等工作，完成設備本身設定之流程，故設計機台時應考慮設備操作之安全性及便利性。
4.2. 設備本體組成：
4.2.1. 機台主體及骨架：內部以SUS 304 38×38×1.5t方管焊接處理，外部支撐架、面板、側板、槽底板皆需以符合FM 4910認證通過，防火板材如：日本TAKIRON PVC(FMT3331 象牙白) 或同等品8mm厚，完全包覆製作，機台大小尺寸以可容納設備規範規定為原則。
4.2.2.機台固定：機台底部應設萬向轉輪及活動式調整腳座，無塵室安裝機台時需符合NDL工安規格標準製作防震腳座固定之。
4.2.3. 機台照明：上方可拆式防酸護罩日光燈。
4.2.4. 拉門及中間分隔板：需以符合FM 4910認證通過，防火、抗靜電板材如：日本TAKIRON PVC(6mm厚)透明板材製作，參考型號FMMD MR-760或同等品，設計方式不限制，但兩組不同製程槽中間亦須裝置分隔板以氣密、安全、易操作、潔淨可拆卸為原則。
4.2.5. 操作平台：耐酸鹼、防火可拆式活動沖孔板，可耐重20kg以上，所有製程槽上方需有1公分高檔水牆。
4.2.6. 管路系統：配置在機台內、外之PFA、PVDF管閥件皆需標示清楚，以利日後維修保養。
4.2.7. 機台防漏及地面防漏盤設計：需使用電子式控制元件及LEAK SENSOR分別裝設於機台內及防漏盤中，且機台外部防漏盤尺寸需大於設備本體。
4.2.8. 氣壓控制：操作區內需保持負壓狀態以防止酸氣味道溢出，控制區則需保持正壓狀態，確保元件免遭酸氣腐蝕，且操作平台上方需佈滿整面HEPA或ULPA（0.1μm）過濾網。（需各裝置正、負壓流量計）
4.2.9. 設備控制系統：電控系統以日本三菱PLC或德國西門子PLC可程式控制器（或同等品）為主，做程序
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