5、验收-国家实验研究院.DOC

財團法人國家實驗研究院 國家奈米元件實驗室 15奈米元件混層曝光光學步進機 招標規範書 說明 本規範適用於國家奈米元件實驗室之15奈米元件混層曝光光學步進機採購案。 採購標的數量及規範 採購數量：15奈米元件混層曝光光學步進機1套，年份必須為西元2010年之後出廠之設備，設備內容須符合或優於下列規範： 光學步進機主體1座，附有10級潔淨室專用之儀器說明書與維修及操作手冊2套以及電子檔份。 備用8吋晶圓傳送手臂（finger）1隻。驗機能之8吋標準晶圓（8-inch standard wafer）1組，附有10級潔淨室專用之使用說明書2套及電子檔份。 15奈米元件混層曝光光學步進機規格需求如下： 適用晶圓尺寸與傳送方式： 符合SEMI標準之8吋刻痕式（V notch）晶圓，直徑200 ±0.5 mm厚度725 ±25 μm。 自動晶圓傳送裝置1組，至少包含2組以上晶舟放置載台，各可放置標準8吋開放式晶舟1個。 以自動晶圓傳送系統，進行預先對準後，將晶圓傳送至曝光載台上，並以真空吸住固定，每次傳送至曝光載台上之位置誤差量≦30 μm【驗收項目1】，於曝光完成後自動傳送回晶舟。 可穩定且自動連續傳送晶圓【驗收項目】。 適用光罩尺寸與傳送方式： 不使用覆膜（pellicle）之5吋光罩，光罩邊長為126.6×126.6 ±0.2 mm，厚度為2.3 ±0.1 mm。 機台內部具自動光罩傳送裝置1組，有 25組以上之光罩暫存欄位，且可自動、穩定的連續傳送光罩【驗收項目】。 以自動傳送方式，將光罩傳送至光罩載台上以真空吸住固定，使用光學偵測方式進行光罩位置對準【驗收項目】，於曝光完成後可選擇傳送回光罩載入/載出平台或暫存區。 曝光光源與均勻性： 波長365 nm之曝光光源。 曝光強度≧10 KW/m2 【驗收項目】。 曝光均勻性≦1.0 ％【驗收項目】。 相對曝光劑量準確性≦1.0 ％【驗收項目】。 絕對曝光劑量準確性≦.0 ％【驗收項目】。 透鏡系統與曝光模式： 投影透鏡系統之投影比例為5：1。 透鏡系統固有失真（non-correctable lens distortion）≦40 nm【驗收項目】。 聚焦面誤差（focal plane deviation）≦0.3 μm【驗收項目1】。 透鏡系統之像散（astigmatism）≦0.2 μm【驗收項目1】。 透鏡系統聚焦穩定性（focus stability）≦0.3 μm【驗收項目1】。 透鏡系統倍率穩定性（magnification stability）≦±2 ppm【驗收項目1】。 曝光模式可選擇標準模式以及2種以上離軸照明模式（off-axis illumination；OAI）。 數值孔徑（numerical aperture；NA）可調範圍包含0.45~0.60。 曝光同調度（partial coherence factor）可調範圍包含0.35~0.65。 曝光照野涵蓋20 mm × 20 mm範圍。 光罩遮板位置準確性≦±100 μm【驗收項目1】。 曝光載台： 氣浮式線性驅動雷射干涉定位載台。 X與Y方向可移動範圍至少含蓋-115 mm至+115 mm。 步進移動準確性（stepping accuracy）≦30 nm【驗收項目1】。 自動對焦再現性（auto focus repeatability）≦100 nm【驗收項目1】。 對焦傾斜補正再現性（leveling repeatability）≦7 ppm【驗收項目1】。 成像平面與載台平面傾斜補正性（uneven focus）≦4 ppm【驗收項目1】。 多層對準能力： 多層對準準確性（alignment accuracy）平均位移量加上三倍標準差≦40 nm【驗收項目】。 解析能力及曝光景深： 解析度（resolution）≦0.28 μm。 光阻製程不使用抗反射層（anti-reflective coatings），製程參數可依照NDL現有之條件或由自行調整，之製程參數必須能夠適用於NDL生產線上。使用二元式光罩（binary mask）單次曝光，檢視圖案為鉛直與水平方向之密集線（VH dense lines, L/S 1:1）。顯影後於20 mm × 20 mm晶方內量測9點，容許線寬為目標線寬之±10％範圍，光阻輪廓須完整，無顯影殘留物。 關鍵線寬（critical dimension, CD）為0.28 μm時，可用景深（useable depth of focus，UDOF）≧0.6 μm【驗收項目2】。 關鍵線寬為0.35 μm時，可用景深≧1.2 μm【驗收項目2】。 線寬均勻性≦【驗收項目2】。μm時，可用景深≧ μm【驗收項目2】。 光阻對稱性，線兩側差≦3【驗收項目2】。 Thro