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620期末考方式题目(四择一)
* ? 2012 TSMC, Ltd * * ? 2012 TSMC, Ltd * Security C – TSMC Secret 6/20 期末考方式 題目: (四擇一) Wet clean process - DIW tank clean efficiency improve - 如何以流場或機械力方式提升洗淨能力 Dry etch process - 如何避免 wafer or parts arcing - 如何降低天線效應或減少 parts 曝露在 plasma 中 提出能夠 real time 監控 chamber 內 微粒 (particle) 的方式 - 要有原理 / 量測方法 Lithography process - 如何減少地震對 scanner 的 impact - 如何以機構設計來減少共振 分組方式 : 以 PPT格式撰寫, ,頁數至少10頁, 首頁要有分工說明 6/18 前mail 給助教, 當日需展示投影片 當日以抽籤方式安排 6 組上台報告, 每組15min (自願者全組加5分) 課後依紙本報告評分 提示: 請以量化或建立Model 型式(以何理論依據) 探討, 不要只以定性描述 Wet Clean DIW tank clean efficiency improve Dry etcher Wafer / parts arcing prevention SampleReal time particle monitor method * ? 2012 TSMC, Ltd * * ? 2012 TSMC, Ltd * Security C – TSMC Secret
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