Airy传递矩阵法与偏压下多势垒结构的准束缚能级-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 (% ( ##( ( ， ， ， HN7 .(% WN .( E6, ##( （ ） ’###5$#-##(-(% #( -O5#/ )1S) 0TUQV1) QVWV1) !##( 1:*2 . 0:,= . QNC . !#$ 传递矩阵法与偏压下多势垒结构的准束缚能级! 王洪梅 张亚非! （上海交通大学薄膜和微细技术教育部重点实验室，微纳米科学技术研究院，上海 ###$# ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ##% ’( ##% ’# ’ 使用 函数和传递矩阵方法精确计算了一维定态薛定谔方程，并推广到多势垒结构，求解出有 无偏压作用 )*+, - 的 ，势垒结构的准束缚能级，进一步研究了有 无偏压作用的 ，势垒结构的准束缚能级与有效质量和外加电压 $ - $ 的关系，并对结论的正确性进行了验证. 另外，文中还指出了有些文章中关于)*+, 传递矩阵法与计算偏压下多势 垒结构的准束缚能级的错误陈述. 关键词：准束缚能级，有 无偏压作用的多势垒结构， 函数，透射系数 - )*+, ： ， %! /’’(0 /$$(1 法只在简单结构和弱电场时适用；矩阵方法涉及反 ’D 引 言 复运算并且不能给出准束缚能级寿命. 通过对比，传 递矩阵方法能广泛应用在任意势能形状的多势垒结 分子束外延（ ）和金属有机物化学气相沉积 构中，并能简单快速准确地给出一维定态薛定谔方 EF4 （ ）技术极大地推动了现代半导体器件的发 程的解 EG1HI . 展 目前，多势垒结构是组成现代半导体器件的基 目前，人们做了一些关于利用传递矩阵方法计 . 础，多势垒结构的电子输运现象主要是电子隧穿问 算有-无外加偏压作用的多势垒结构中准束缚能级 ［ — ］ 题，载流子通常被束缚在结构中并受外加电场的作 的工作’$ ’O . 他们用不同方法处理外加电场对势能 ［ ］ ［ ］ 用 要设计器件并优化器件的性能，详细了解有 无 ’% ’$ .