COF结构中键合力损伤芯片Al层的研究-JournalofSemiconductors.PDF

第 26 卷 　第 1 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol. 26 　No. 1 2005 年 1 月 　　 CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS 　　Jan. ,2005 COF 结构中键合力损伤芯片 Al 层的研究 1 2 2 1 彭瑶玮 　陈文庆 　王志平 　肖 　斐 ( 1 复旦大学材料科学系 , 上海　200433) (2 飞利浦移动显示系统中国科技中心 , 上海　200131) 摘要 : 运用实验和有限元模拟相结合的方法 ,研究了非导电膜和金金共金工艺中键合力对芯片 Al 压焊块内应力 分布的影响 ,并分析了样品的失效部位和失效原因. 挠性基板上印制线宽度不同时键合力对芯片损伤情况的研究 表明 ,小印制线宽度在相同单位面积键合力情况下对Al 压焊块损伤较轻. 讨论了印制线宽度对键合偏移容差的要 求. 关键词 : 挠性板上芯片 ; 非导电膜 ; 金金共金 ; 有限元模拟 EEACC : 2550X; 0170J ( ) 中图分类号: TN306 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 2005 和印制线间的直接接触 ,从而保证稳定的电连接. 由 1 　引言 于非导电膜层担任确保 IC 和基板材料之间机械连 接和电连接的双重角色 ,所以对非导电膜材料的热 ( ) 在液晶显示 LCD 系统中 , 各向异性导电膜 工艺温度曲线的选择尤为重要. 金金共金工艺是利 ( ) ( ) 用在一定温度下 ,芯片的金凸点和基板材料上印制 ACF 技术在玻璃板上芯片 COG 或挠性板上芯片 ( ) [1 ,2 ] . ACF 技术是通过热 线上电镀的 Au/ Ni 层发生一定程度的共金反应来实 COF 封装中运用十分广泛 ( 压工艺中 ,在芯片的凸点和基板材料之间捕捉到一 现两者的机械连接和电连接 ,然后再用填充料 un 定数量的导电粒子来形成电连接的. 然而 ,随着LCD derfill) 来保护和加强已经实现的互连. 非导电膜和 ( ) 金金共金工艺的最终键合温度分别在 220 ～240 ℃ 功能的增加 ,驱动芯片 IC driver 的凸点数随之增 加 ,且芯片凸点节距减小 ,这对 ACF 技术提出了严 和 330 ℃左右 ,具体工艺过程如图 1 和图 2 所示. [3 ] ( ) 峻挑战 . 据文献报道 ,对于凸点间距 bump gap 小 μ 于 15 m 的芯片 ,ACF 工艺会产生较为严重的短路 现象[4 ] . 为了从根本上解决窄节距芯片带来的 ACF 搭