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MI3221014集成电路制造技术-微电子学院微电子实验教学中心
《集成电路制造技术》教学大纲
课程编号:
课程名称:集成电路制造技术 英文名称:Manufacture Technology of I学时: 学分:课程类型:选 课程性质:专业课
适用专业:先修课程:开课学期: 开课院系:微电子学院
双极型MOS集成电路制造工艺流程,新工艺新技术本课程。(一) 晶体生长和晶片制备(2学时)基本要求
了解Czochralski晶体生长,区熔晶体生长晶片的制备,晶体定向。
重点、难点
重点:晶体生长晶体定向。难点:衬底材料的制备技术。(二) 扩散(学时) 基本要求掌握杂质扩散机构,扩散系数,扩散流密度,扩散方程,恒定表面源扩散,有限表面源扩散氧化性气体对扩散影响横向扩散。重点、难点
重点:扩散。难点:扩散系数与扩散方程。(三) 离子注入(学时)1.基本要求核阻挡机构,电子阻挡机构,非晶靶,单晶靶,沟道效应注入损伤与退火。重点、难点
重点:核阻挡机构,电子阻挡机构注入离子的浓度分布。难点:核阻挡机构,电子阻挡机构。(四) 外延(学时)1.基本要求Si气相外延的基本原理低压外延选择外延与SOS外延,分子束外延。外延掺杂,外延层中的杂质分布堆剁层错,原位气相腐蚀抛光。重点、难点
重点:气相外延的基本原理SOS外延,分子束外延。难点:外延层中的杂质分布。(五) 氧化(学时) 1.基本要求重点、难点重点:SiO2的掩蔽作用。难点:热氧化生长动力学原理。(六)其它薄膜制备(学时)1.基本要求2.重点、难点重点:薄膜的化学气相淀积。 难点:化学气相淀积的方法与条件。(七) 微细图形加工技术(学时)1.基本要求
2.重点、难点重点:光刻工艺流程。
难点:曝光与刻蚀技术。
() 金属化与多层互连(学时)1.基本要求在IC中的应用铜互连低介电常数介质VLSI多层互连技术。2.重点、难点重点:铝互连和铜互连在IC中的应用。 难点:铜互连及低介电常数介质。
() 集成电路工艺设计(4学时)1.基本要求
CMOS集成电路的工艺双极集成电路的工艺。
2.重点、难点重点:CMOS集成电路的工艺。
难点:集成电路与工艺。
总学时 30 学时,讲课 28 学时,多种形式教学 2 学时
教学环节
教学时数
课程内容 讲 课 实 验 习 题 课 讨 论 课 上 机 参观或
看录像 小 计 晶体生长和晶片制备 2 2 扩散 4 4 离子注入 外延技术 3 3 其它薄膜制备方法 3 1 4 金属化与多层互连 3 3 集成电路工艺设计 4 4
五、考核方式
笔试(闭卷)。
各教学环节占总分的比例:平时测验及作业:30%,期末考试:70%
六、推荐教材与参考资料
推荐教材:
关旭东主编,《硅集成电路工艺基础》(第一版),北京:北京大学出版社,2003。
参考资料:
1.Stephen A.Campbell,《微电子制造科学原理与工程技术》电子工业出版社,2003年。
2李乃平《微电子器件工艺》1995。
(执笔人:刘红侠 审核人:张玉明)
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