RIE 精确传递微光学三维结构于红外材料的方法 - 光子学报.PDF

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RIE 精确传递微光学三维结构于红外材料的方法 - 光子学报

28 9 1. 28 . 9 Vo No 1999 9 ACT A PHOT ONICA SINICASeptember 1999 RIE 邱传凯 杜春雷 潘 丽 曾红军 王永茹 ( , , 610209) 本文对红外光学材料锗的蚀刻性能、机 进行了深入的研究, 在反应离子蚀刻( RIE) 实验基础上, 建立了锗材料蚀刻性能与RIE 工艺参量的关系, 经过大量的实验, 找到了稳定蚀 刻速率的方法和条件, 为用RIE 技术形成高精度衍射微光学元件积累了实用经验. 反应离子蚀刻; 微浮雕结构; 蚀刻率 0 , . . , , , , . , 1 , , . 1 , Fig. 1Layout of reactive ion et ching system 2 , , 3, , , 20% 3. 8% , , , . 1% , : . . 1RIE , , . , , SF6 , SF6 , , GeF : - + - , e+ SF6 SF6 SF5 + F - 1 F + Ge GeF ( 00 / ) , , . nm min 收稿日期: 1999—0 —26 8 50  光子学 报 28 200nm , ( ) , , . . , 5, 6 , . B

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