Si3N4 陶瓷材料的氧化行为及其氧化机理 - 南京工业大学学报（自然 .PDF

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2017-06-24 发布于天津
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Si3N4 陶瓷材料的氧化行为及其氧化机理 - 南京工业大学学报（自然

21 5 Vol. 2 1 No. 5 1999 9 JOURNA L OF NA NJING UNIVERSIT Y OF CHEMICA L T ECHNOLOGY Sep. 1999 Si3N4 张其土 ( 南京化工大学材料科学与工程学院, 南京, 210009) 采用氧化后再氧化的实验方法, 通过对Si3N4 陶瓷材料氧化行为的研究和氧化动力学的分析, 讨论了 Si N 陶瓷材料的氧化理。结果表明, Si N 陶瓷材料的氧化行为表现为氧化增量随时间的变化服从抛物线规律: 3 4 3 4 2 ( W ) = K p t 。提出了氧在氧化层中的向内扩散是Si3N4 氧化过程中的控制步骤; 并认为烧结添加剂或杂质等对 Si N 陶瓷材料氧化速度的影响, 是通过改变氧化层的组成、结构, 使氧在氧化层中的扩散速度发生变化而产生的。 3 4 氮化硅　动力学　氧化 174. 758. 12 T Q 3 4 3 4 Si N Si N , , , 3 4 , 3 4 Si N Si N , , 3 4 Si N 1 Si3N4 [ 13] , 3 4 Si N 1. 1 , 3 4 2 Si N 2Y-ZrO 3 4 Si N Al( NO3) 3 9H2 OSi3N4 : ( ) : Si3N4( s) + 3O2( g) = 3SiO2 ( s) + 2N2 ( g) SNA : w ( Si3N 4) = 95% w ( Al2O3) = 5% ; SNAZ : w ( Si3N4 ) = 85% w ( Al2 O3) = 5% 3 4 Si N ( 2 - 2) = 10% w Y ZrO [ 3] , Cubi iotti Si3N4 2 3 ( 3) 3 Al O Al NO , Mg2+ 9 2 , , - H O Sol , M g2