TPB 3TSi黄光OLED材料的制备及其性能优化 - 北京玛格泰克科技发展 .PDF

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2017-06-24 发布于天津
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TPB 3TSi黄光OLED材料的制备及其性能优化 - 北京玛格泰克科技发展

年第期( )卷 1350 2013 9 44 文章编号: ( ) 1001-9731201309-1350-03 黄光材料的制备及其性能优化∗ TPBTSi OLED 3 , , , 郑华靖陆海川蒋亚东阮政　 ( , , ) 电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室四川成都 610054 : , 摘要制备以为发光材料的黄色发光器衍生物以其自身的特点深受关注本文以新　　 TPBTSi Silole 3 。 , , :,,, , 件实验表明当TPBTSi薄膜厚度为 20nm时器型Silole族配合物 2244-tetrahenl-33-bisthie- 3 p y , ( ) , 件的发光谱峰位于其双层和层器件的最大为发光层同时选择通用的空穴传 580nm 3 nlsiloleTPBTSi y 3 2 / ( ), 亮度分别达到和电压下但输材料和电子传输材料为空穴和电子传输 7507.6 1385cdm 17V NPB Al q 3 , , , 是器件的电流较大造成了器件的发光效率偏低其原层采用真空热蒸发法制备得到黄色有机电致发光器 ( , 因是 TPBTSi材料本身的电荷陷阱所谓陷阱指的是件同时对其光电性能进行测试和对器件结构的进一 3 拥有比母体更容易接受电子或者空穴的能级的位置) 步优化。 , , 。较多荧光效率低从而降低了器件的效率实验 2　　 :