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Zn(acac)·HO化学气相沉积产物的表征
第21卷第1期 江 苏 科 技 大 学 学 报(自然科学版) Vo121 No1
2007年2月 JournalofJiangsuUniversityofScienceandTechnology(NaturalScienceEdition) Feb.2007
文章编号:1673-4807(2007)01-0075-05
Zn(acac) ·HO化学气相沉积产物的表征
2 2
袁爱华,包小波,汪 萍,周 虎,袁 媛
(江苏科技大学 材料科学与工程学院,江苏 镇江212003)
摘 要:以Zn(acac)·HO为前驱体,以硅片为基底,采用化学气相沉积法,在不同的催化剂条件下,
2 2
分别制备了ZnO纳米棒、ZnO纳米钵以及C纳米管,并分别用SEM、TEM、EDS和XRD对各产物进行了
表征。当催化剂为水溶性金纳米粒子时,制得ZnO纳米棒;当催化剂为Fe-Pt合金时,制得C纳米管;
当不用催化剂时,制得ZnO纳米钵。
关键词:纳米材料;ZnO;化学气相沉积;制备;表征
中图分类号:O611;TB383 文献标识码:A
CharacterizationofZn(acac)·HOSynthesizedbyCVD
2 2
YUANAihua,BAOXiaobo,WANGPing,ZHOUHu,YUANYuan
(SchoolofMaterialsScienceandEng.,JiangsuUniversityofScienceandTechnology,ZhenjiangJiangsu212003,China)
Abstract:Withdifferentcatalysts,ZnOnanorods,ZnOnanobowlsandcarbonnanotubesarepreparedonsili
consubstratebyCVDwhenusingZn(acac)·HOasprecursors,respectively.SEM、TEM、EDSandXRDare
2 2
usedtocharacterizethemorphologicalpropertiesofthesenanomaterials.
Keywords:nanomaterials;ZnO;chemicalvapordeposition;preparation;characterization
0 引 言
[1]
ZnO是重要的 - 族半导体氧化物,属宽能隙直接带材料 。纳米ZnO由于尺寸小,比表面积大,因
Ⅱ Ⅵ
此具有一般粒度的ZnO所不具备的表面、量子尺寸和宏观量子隧道效应。纳米ZnO也是一种自激活的半
导体材料,室温下禁带宽度为327eV,激子束缚能为60meV,这就使得纳米ZnO材料从理论上具备了从
紫外光至可见光稳定发射的本领。同时纳米ZnO又具有非迁移性、压电性、吸收和散射紫外线能力、很高
的导电导热性能、化学稳定性,所有这些使得纳米ZnO材料在光电转换、光催化以及传感器等领域有广阔
[2-5] [6-9]
的应用前景 。合成纳米ZnO的方法很多,一般可分为机械法、液相法和气相法 。不同的方法制备
出的纳米ZnO材料具有不同的晶形、颗粒大小、表面性质及不同的表面附着物,这些都将影响到纳米ZnO
[10]
材料的特性 。本文以Zn(acac)·HO为单源前驱体,以硅片为基底,采用化学气相沉积法,在不同催
2 2
化剂条件下分别制备了ZnO纳米棒、ZnO纳米钵以及C纳米管。
收稿日期:2006-03-24
基金项目:江苏省教育厅自
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