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一种新型GaAs基无漏结隧穿场效应晶体管
第 5 卷 第 期 西 安 交 通 大 学 学 报 V
0 2 ol.50 No.2
年 月 ’ F
2016 2 J eb.2016
OURNAL OFXI AN JIAOTONGUNIVERSITY
D : /
OI 10.7652xtuxb201602012
j
一种新型G 基无漏结隧穿场效应晶体管
aAs
1 2 2 2 2
骆东旭 ,李尊朝 ,关云鹤 ,张也非 ,孟庆之
( , , ; , , )
西安交通大学软件学院 西安 西安交通大学电子与信息工程学院 西安
. 710049 2. 710049
1
摘 : ,
要 针对隧穿场效应晶体管开态电流较低的问题 提出了一种新型 基无漏结隧穿场效应
GaAs
, 。 ,
晶体管结构 并对其性能进行了研究 在该结构中 沟道和漏区采用具有相同掺杂浓度的 型
N
材 , / , ; ,
nGaAs 料 实现沟道 漏区无结化 简化了制造工艺 同时为了提高开态隧穿电流 源区采用不同
I
材 , / 。 ,
于沟道的 型 aAsSb 料 实现异质源区 沟道结构 该结构能有效增大关态隧穿势垒宽度 降
P G
, , , 。
低泄漏电流 同时增加开态带带隧穿概率 提升开态电流 从而获得低亚阈值斜率和高开关比 仿
, ,
真结果表明 在 工作电压下 该新型 基无漏结隧穿场效应晶体管的开态电流为
0.4V aAs .66
G 3
-
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