下变频器系列.PDF

下变频器系列 概述 该系列采用集成化的超外差三级混频结构设计变频器，具有宽带、小型化、 低杂散、高灵敏度、大动态范围等特点。采用合成技术设计本振，具有高纯、高 分辨率的特点。下变频器的中频输出调理电路针对宽带模数转换电路优化设计， 具有多带宽抗混叠滤波通道可选、带内抖动低，增益调节范围大等特点。 系列产品 • 11101 系列：VXI 总线下变频器 （含本振） • 11102 系列：PXI 总线下变频器 （含本振） • 11103 系列：3GHz 下变频器模块（不含本振） • 11104 系列：8GHz 下变频器模块（不含本振） 1．11101 系列VXI 总线射频下变频器模块 1.1 产品特点 该产品基于先进的设计手段，基于 YTO 采用Σ- Δ小数分频低相噪频率合成 技术设计本振，基于双平衡混频器及低噪声放大器、高性能滤波器设计下变频通 道。整体性能指标达到国际高端 VXI 总线模块水准，处于国内领先水平。该系列 提供 9kHz 到 4GHz 输入范围，并可扩展至毫米波段，具有优秀技术指标。 1.2 产品技术参数 频率特性 • 频率范围 9kHz ～4GHz （可扩展） • 最大信道带宽 70MHz （3dB 带宽） • SPAN 精确度 ≤±0.5％ • 频率参考 频率 100MHz 温度稳定性 ±2×10-8 老化率 ±1×10-7/年 预热时间 15 分钟 • 射频调谐分辨率 1Hz • 相位噪声 ≤-100dBc/Hz @ offset 10kHz，1GHz 信号 • 剩余调频 ≤3Hz p-p （10ms 内） • 中频输出 76±20MHz 或 160±35MHz 幅度特性 • 射频最大输入电平 +30dBm （1W）， • RF 输入衰减 0～50dB (10dB 步进) • 绝对精度 ≤ 校准点)，≤频响 （其 它点） • 频响 ≤ （至4GHz 处） • 显示平均噪声电平 ≤-155dBm/Hz (1GHz 典型值，低噪声放大器 打开时) • 三阶交调失真 ≤-75dBc (1GHz 处间隔 200kHz 双音-30dBm 输入) • 二次谐波失真 ≤-70dBc(1GHz 处单音-30dBm 输入) • 剩余响应 ≤-90dBm （至4GHz 典型值） 系统软件特性 • 驱动 提供模块底层驱动、数据处理和编程指令集 • 用户界面 提供全功能虚拟面板 前面板输入/输出 • 所有连接器均为 SMA 阴头，50 Ω • 外时钟参考：10MHz，TTL 电平 系统工作环境 模块环境性能遵循 GJB3947A-20094 级军用标准设计。用户可按特定工作环 境标准定制。标准型号主要工作环境条件为：工作温度：10~40°C ，存储温度： -40~70°C，可靠性：MTBF(0) 3000 小时。 结构形式与外形尺寸 模块化结构，3U 尺寸 VXI 模块，2 槽。 1.3 典型应用及案例 产品可广泛应用于测试系统搭建，测量及设备研发生