乙级02(识图与贴图)..DOC

單元一：各種國家和單位標準之名稱與縮寫 AANSI為 (A)美國國家標準 (B)美國標準協會 (C)美國標準 (D)義大利工業標準。 B中國國家標準之英文簡寫是 (A)JIS (B)CNS (C)CCA (D)DIN。 CDIN為 (A)中國國定標準 (B)美國工程標準 (C)德國工業規格 (D)瑞士工程標準。 C國際電工協會之縮寫為 (A)EIA (B)ANSI (C)IEC (D)IEEE。 OIE3即為電機電工程學會。 D倍率符號m、K、G分別代表 (A)10-3、103、106 (B)10-6、106、109 (C)10-3、106、109 (D)10-3、103、109。 D倍率符號u、p、G分別代表 (A)106、1012、109 (B)10-6、1012、10-9 (C)10-6、10-12、10-9 (D)10-6、10-12、109。 D100MΩ可改用何者表示 (A)100,000Ω (B)1,000GΩ (C)1GΩ (D)1*108Ω。 A1uA即 (A)10-6A (B)10-5A (C)10-9A (D)10-8A。 D4GHz即 (A)4*106 (B)4*107 (C)4*108 (D)4*109 Hz。 單元二：識圖～電子元件 A左圖為 (A)稽納二極體 (B)整流二極體 (C)通道二極體 (D)發光二極體。 D下圖何者為通道二極體(Tunnel Diode)的符號： (A) (B) (C) (D)。 C下圖何者為變容二極體的符號： (A) (B) (C) (D)。 D左圖為 (A)光敏二極體 (B)蕭基二極體 (C)光二極體 (D)發光二極體。 B光二極體的符號 (A) (B) (C) (D)。 A右圖符號為 (A)P-N-P-N二極體 (B)發光二極體 (C)稽納二極體 (D)FET。 B左圖為 (A)稽納二極體 (B)蕭基二極體 (C)通道二極體 (D)發光二極體。 CN通道JFET的符號為 (A) (B) (C) (D)。 B左圖表示 (A)N型JFET (B)P型JFET (C)UJT (D)MOSFET 。 D左圖表示 (A)N型MOSFET (B)P型JFET (C)N型JFET (D)P型MOSFET。 C下列敘述那一個為錯 (A)表n通道MOSFET (B)表n通道MOSFET (C)表n通道 MOSFET (D)表n通道JFET。 C左圖為 (A)NPN電晶體 (B)PNP電晶體 (C)NPN蕭基電晶體 (D)PNP光電晶體。 A左圖的相等電路 (A) (B)(C)(D)。 B下列元件符號何者表示光耦合器(Opticaccy Coupled Isolation)光二極體 式的繪法 (A) (B)(C) (D) 。 C左圖為 (A)橋式整流器 (B)二極體 (C)光耦合器 (D)電晶體。 C此符號表示何種元件 (A)多射極電晶體 (B)光耦器 (C)達靈頓(Darlington)電晶體 (D)NPN光電晶體 。 O左圖為晶體振盪器。 O左圖為N通道金屬氧化半導體場效電晶體(MOSFET)的電路符號。 A 左圖為 (A)SCR (B)PUT (C)DIAC (D)TRIAC 。 B 左圖為 (A)電晶體 (B)單接面電晶體 (C)N通道接合型場效電晶體 (D)矽控制整流體。 C 左圖代表 (A)P型JFET (B)N型JFET (C)N型UJT (D)P型UJT 。 O 左圖為DIAC元件的等效電路。 C下圖中，何者稱為雙向矽控整流器(TRIAC) (A) (B) (C) (D)。 A下圖中何者稱為單接面電晶體(UJT) (A) (B) (C) (D)。 CTRIAC的符號為 (A) (B) (C) (D)。 D(((有關左方(～(三圖之敘述何者正確 (A)(為SCS，(為PUT，(為SCR　(B)(為PUT，(為SCR，(為PUT (C)(為SCR，(為SCS，(為PUT　(D)(為PUT，(為SCS，(為SCR。 C下圖何者為SCS的符號 (A)( (B)( (C)(及(均可 (D)((均非。( ( C左圖為 (A)SCR (B)PUT (C)DIAC (D)TRIAC。 B為 (A)閘斷開關 (B)雙向觸發二極體 (C)N型整流體 (D)P型整流體。 D左圖之元件符號代表 (A)SCR (B)SCS (C)PUT (D)GTO。 A如下圖示各符號之敘述何者正確 (A)(為GTO，(為LASCR (B)(為SCS，(為UJT (C)(為LASCR，(為UJT (D)(為UJT，(為DIAC。( ( ( (。 O左圖為光閘流體的符號。 C左圖為 (A)DIAC (B)