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低温热处理对电子辐照直拉硅中VO缺陷的影响-IngentaConnect
第 39 卷第 5 期 徐桂龙 等：超疏水/超亲油 SiO 薄膜的制备和表征 · 859 ·
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第 39 卷第 5 期 硅 酸 盐 学 报 Vol. 39 ，No. 5
2 0 1 1 年 5 月 JOURNAL OF THE CHINESE CERAMIC SOCIETY M a y ， 2 0 1 1
低温热处理对电子辐照直拉硅中V−O 缺陷的影响
1 2,3 2 2 2
蔡莉莉 ，陈贵锋 ，张 辉 ，郝秋艳 ，薛晶晶
(1. 华北科技学院基础部物理教研室 北京东燕郊 101601 ；2. 河北工业大学材料学院 天津 300130 ；
3. 浙江大学硅材料国家重点实验室，杭州 310027)
摘 要：采用能量为 1.5 MeV 、辐照温度为 100 ℃、辐照剂量为 1.8 × 1018 e/cm2 电子辐照直拉单晶硅；然后对电子辐照样品进行不同温度和时间的低
温(200～600 ℃)热处理。通过辐照样品的 Fourier 变换红外光谱研究了热处理后样品中的空位–氧相关缺陷的转化情况。结果表明：未经热处理的电子
辐照的硅样品中出现了空位–双氧复合体(VO )缺陷的 889 cm–1 吸收峰，这是由于辐照温度较高所致。经低温热处理后，在氧含量较低的辐照样品中的
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VO 和 VO 缺陷会相互转化，而氧含量较高的样品中 VO 、VO 吸收峰强度几乎不变。VO 和空位–三氧复合体(VO )缺陷在 450 ℃热处理 30 min 后呈
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现出一定的稳定性。
关键词：单晶硅；电子辐照；空位–双氧复合体；辐照缺陷
中图分类号：TN305.2 文献标志码：A 文章编号：0454–5648(2011)05–0859–04
Effect of Low Temperature Heat Treatment on the V–O Defects in the Electron-Irradiated
Czochralski Silicon
CAI Lili1 2,3 2 2 2
，CHEN Guifeng ，ZHANG Hui ，HAO Qiuyan ，XUE Jingjing
(1. Foundation Department, North China Institute of Science and Technology, Yanjiao in East of Beijing 101601; 2. School of
Material Science and Engineering, Hebei University of Technology, Tianjin 3
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