化学源金属诱导多晶硅研究!-物理学报.PDF

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 (( ) ， ， ， +=; *(( 3= * -DXNF9NJ ) （ ） !.#UV)V(( V4(.( 61K6 /,WIT16 IT3T16 !) 1M: * /MJ@ * I=G * 化学源金属诱导多晶硅研究! ））） ））） ））） ））） ））） 赵淑云! # 吴春亚! # 李 娟! # 刘建平! # 张晓丹! # ） ））） ））） $ ! # ! # % 张丽珠 孟志国 熊绍珍 !）（南开大学光电子器件与技术研究所，天津 #’!） ）（天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津 #’!） # ）（教育部光电信息技术科学重点实验室，天津 #’!） $ ）（天津工程师范学院，天津 # ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） ( ! ) ( ) # 以硝酸镍溶液为化学源，对于用不同方法沉积得到的非晶硅膜作晶化前驱物，都能予以不同程度的晶化 用 * 方法获得的非晶硅膜作前驱物，易于去氢并更容易晶化 当化学源浓度不同时，晶化效果会存在一定差 +,-./01+2 * 别，在一定的范围内，溶液浓度越高，晶化后形成的晶粒越大 退火气氛对晶化结果产生某些影响，可以发现，在 * 3 气氛下退火，比在大气下有更好的晶化效果 最后对物理源与化学源作诱导金属的晶化结果进行了比较，结果表 * 明，对诱导金属源而言，化学源显示出更为有效的晶化趋势* 关键词：金属诱导晶化，多晶硅薄膜，低温制备，退火处理 ： ， ， ， !## ’#)- 4!$5 4!!(, )4 从而极大地阻碍了器件的实用性与产业化 金属诱