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半导体Si单晶方籽晶定向切割工艺
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:
doi 103969/ jissn1003353x2010z1038
半导体单晶方籽晶定向切割工艺
Si
刘京生
(陕西华山半导体材料有限责任公司西安, )
710065
摘要:在拉制半导体级单晶生产中,必须用晶向偏离度准确的籽晶来引拉晶体,方能获
Si
得所要求的单晶棒。简述了以{ },{ }为基准面,定向切割〈 〉,〈 〉晶向籽晶的工
110 112 111 100
。 ( ) ( )
艺该工艺克服了原工艺以 或 为基准面切割籽晶存在的晶向偏离度不能人为控制
111 100
的主要问题从而可获得晶向偏差小于 的籽晶
, 05° 。
关键词:晶向;基准面;棱线
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )增刊
TN604 A 1003353X 2010 013503
Directional Cutting Process of Single Crystal Si Seeds
Liu Jingsheng
( , , , )
Shanxi Huashan Semiconductor Material Co Ltd Xian 710065 China
:
Abstract The Si seeds with the exact offorientation must be used to draw Si crystal in order to achieve
the Si crystal sticks during the fabrication of the semiconductor Si crystal. The process of directional cutting
〈 〉,〈 〉 { },{ }
111 100 Si seeds with 110 112 as reference surfaces was introduced. The main problem of the
, ( ) ( )
crystal offorientation which cannot becontrolledartificially intheoriginal processwith 111 or 100 as
,
reference surface was solved by the process. Thusthe seed with offorientation lessthan05°wasachieved.
: ; ;
Key words orientation reference surface ridge
:
EEACC 0560
存在着晶向偏差不易控制,偏差大,切割成品率低
0 引言
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