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双栅无结晶体管阈值电压模型-太赫兹科学与电子信息学报
第 15 卷 第 2 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1.15,No.2
2017 年 4 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technol ogy Apr.,2017
文章编号:2095-4980(2017)02-0313-05
双栅无结晶体管阈值电压模型
杨可萌 a,b ,李 悦 a,b ,郭羽涵 a,b ,王 超 a,b ,郭宇锋 a,b* ,刘 陈 a,b
(南京邮电大学 a .电子科学与工程学院;b .江苏省射频集成与微组装工程实验室,江苏 南京 210023)
摘 要 :无结晶体管是近年来纳米 SOI MOS 器件领域的研究热点,相对于传统晶体管具有明
显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管,基于二维泊松方程,建立了电势分布解析模型。根据
该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软件 MEDICI ,探讨了栅
压和器件结构参数对电势分布和阈值电压的影响。该模型简单且与仿真结果吻合良好。
关键词 :无结晶体管;双栅;电势分布;阈值电压
中图分类号 :TN32 文献标志码 :A doi :10.11805/TKYDA201702.0313
Threshold voltage model for junctionless double-gate transistors
a,b a,b a,b a,b a,b* a,b
YANG Kemeng ,LI Yue ,GUO Yuhan ,WANG Chao ,GUO Yufeng ,LIU Chen
(a.College of Electronics Science and Engineering;b.Jiangsu Provincial Engineering Laboratory of RF Integration Micropackaging,
Nanjing University of Posts and Telecommunications,Nanjing Jian gsu 210023,China)
Abstract : Junctionless double -gate transistors which have obvious advantages over traditional
junction transistors are becoming a hot topic in the field of n ano Silicon-On-Insulator(SOI) devices
nowadays. Based on 2-D Poisson equation, an analytical model is derived to calculate potential
distribution in the channel. Based on this model, threshold voltage of the junctionless double-gate
transistors can be obtained. By using this model and device simulator MEDICI, effects of gate voltage and
parameters of device struc
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