双栅无结晶体管阈值电压模型-太赫兹科学与电子信息学报.PDFVIP

第 15 卷 第 2 期 太赫兹科学与电子信息学报 Vo1.15，No.2 2017 年 4 月 Journal of Terahertz Science and Electronic Information Technol ogy Apr.，2017 文章编号：2095-4980(2017)02-0313-05 双栅无结晶体管阈值电压模型 杨可萌 a,b ，李 悦 a,b ，郭羽涵 a,b ，王 超 a,b ，郭宇锋 a,b* ，刘 陈 a,b (南京邮电大学 a .电子科学与工程学院；b .江苏省射频集成与微组装工程实验室，江苏 南京 210023) 摘 要 ：无结晶体管是近年来纳米 SOI MOS 器件领域的研究热点，相对于传统晶体管具有明 显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管，基于二维泊松方程，建立了电势分布解析模型。根据 该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软件 MEDICI ，探讨了栅 压和器件结构参数对电势分布和阈值电压的影响。该模型简单且与仿真结果吻合良好。 关键词 ：无结晶体管；双栅；电势分布；阈值电压 中图分类号 ：TN32 文献标志码 ：A doi ：10.11805/TKYDA201702.0313 Threshold voltage model for junctionless double-gate transistors a,b a,b a,b a,b a,b* a,b YANG Kemeng ，LI Yue ，GUO Yuhan ，WANG Chao ，GUO Yufeng ，LIU Chen (a.College of Electronics Science and Engineering；b.Jiangsu Provincial Engineering Laboratory of RF Integration Micropackaging， Nanjing University of Posts and Telecommunications，Nanjing Jian gsu 210023，China) Abstract ： Junctionless double -gate transistors which have obvious advantages over traditional junction transistors are becoming a hot topic in the field of n ano Silicon-On-Insulator(SOI) devices nowadays. Based on 2-D Poisson equation, an analytical model is derived to calculate potential distribution in the channel. Based on this model, threshold voltage of the junctionless double-gate transistors can be obtained. By using this model and device simulator MEDICI, effects of gate voltage and parameters of device struc