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场效电晶体之特性与偏压
8
8-1 增強型 之特性與
偏壓
FET
8-2 空乏型 之特性與 場效電晶體 （ ）和雙極性接面電晶體
BJT
偏壓 （ ），都具有受控電源流特性和受控開關特
BJT V ，改
8-3 接面場效電晶體之特性與 性，但不同的是 ， 是藉由基射端電壓 be
偏壓 變I 、大小 ，進而控制輸出電流 ，故稱為“電I I
b e c
FET V
8-4 與 之功能特性比較 流控制”電晶體 ； 則是藉由閘源端電壓 gs ，
重點掃描 改變閘源極電場 ，進而控制輸出電流Id ，故稱為
習題探討 “電場效應”電晶體。
認識不同的場效電晶體。
瞭解場效電晶體的特性及架構。
能分析推導場效電晶體的直流偏壓。
瞭解場效電晶體的基本功用。
能比較 與 之優缺點。
電子學II 第一節 增強型MOSFET 之特性與
偏壓
FET MOSFET JFET MOSFET
可分為 與 ， 可分為增強型與空乏型。
I =k (V V )2
之夾止飽和電流 D × GS GS t 。
BipolarJunctionTransistor
電晶體的主要分類 ，除了雙極性接面電晶體（ ，
BJT FieldEffectTransistor FET 8-1
）之外，還有場效電晶體（ ， ）。由圖 常見電
FET
晶體的分類可知 ， 可分為兩大類 ：
MetalOxideSemiconductor
控制閘為絕緣型的金屬氧化半導體場效電晶體 （
FET MOSFET enhancement depletion
， ），又分為增強型 （
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