基于硅底静电感应晶体管器件仿真与研究.PDF

下载文档

4
0
约1.78万字
约 4页
2017-06-24 发布于天津
举报
版权申诉
保障服务

基于硅底静电感应晶体管器件仿真与研究.PDF

1、本文档共4页，可阅读全部内容。
2、有哪些信誉好的足球投注网站（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击这里二次下载。
4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。

基于硅底静电感应晶体管器件仿真与研究

２０１６２９４ · ＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｃｉ＆Ｔｅｃｈ／Ａｐｒ１５，２０１６ｄｏｉ：１０１６１８０／ｊｃｎｋｉｉｓｓｎ１００７－７８２０２０１６０４００４，，（９３８５６，　７３００７０）　　，ＳｉｌｖａｃｏＴｃａｄ，，。０Ｖ、＜２０Ｖ，－５，１０Ａ，。－１５Ｖ、－６３００Ｖ，，１０Ａ，，。　；；　ＴＮ３２　　　Ａ　　　１００７－７８２０（２０１６）０４－０１２－０４ＲｅｓｅａｒｃｈｏｎａｎｄＳｉｍｕｌａｔｉｏｎｏｆＳｔａｔｉｃＩｎｄｕｃｔｉｏｎＴｒａｎｓｉｓｔｏｒＢａｓｅｄｏｎＳｉｌｉｃｏｎＳｕｂｓｔｒａｔｅＷＡＮＧＦｕｑｉａｎｇ，ＱＵＹｉｂｉｎ，ＭＡＸｉｎｇｋｏｎｇ（Ｔｒｏｏｐ９３８５６，ＰＬＡ，Ｌａｎｚｈｏｕ７３００７０，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ　Ｔｈｅｐｒａｃｔｉｃｅｐｒｏｃｅｓｓｏｆｓｔａｔｉｃｉｎｄｕｃｔｉｏｎｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＳＩＴ）ｓｔａｙｓａｈｅａｄｏｆｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌｒｅｓｅａｒｃｈ．Ａｔｈｅｏ ｒｅｔｉｃａｌｒｅｓｅａｒｃｈｏｎｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｔｈｅＳＩＴｂａｓｅｄｏｎＳｉｌｉｃｏｎｂｙｉｓｐｅｒｆｏｒｍｅｄｆｒｏｍｔｈｅｐｏｉｎｔｏｆｄｅｖｉｃｅｓｉｍ ｕｌａｔｉｏｎｕｓｉｎｇｔｈｅＳｉｌｖａｃｏＴｃａｄｓｏｆｔｗａｒｅ．ＴｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅＩＶｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅｉｓｔｈｅｃｌａｓｓｐｅｎｔｏｄｅ－５ｓａｔｕｒａｔｉｏｎｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃ，ｗｉｔｈａｄｅｖｉｃｅｃｕｒｒｅｎｔｏｆａｂｏｕｔ１０Ａａｎｄｐｒｅｐｉｎｃｈｏｆｆｃｈａｎｎｅｌｓｔａｔｅａｔａｂｏｕｔ０Ｖｒｅｖｅｒｓｅｂｉａｓｇａｔｅｖｏｌｔａｇｅａｎｄ０～２０Ｖｄｒａｉｎｖｏｌｔａｇｅ．Ｓｅｃｏｎｄｌｙ，ｕｎｄｅｒｔｈｅｃｏｎｄｉｔｉｏｎｏｆ－１５Ｖｒｅｖｅｒｓｅｂｉａｓｇａｔｅｖｏｌｔａｇｅａｎｄ０～３００Ｖｄｒａｉｎｖｏｌｔａｇｅ，ｔｈｅＩＶｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅｓｈｏｗｓｔｈｅｃｌａｓｓｔｒｉｏｄｅｕｎｓａｔｕｒａｔｅｄｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｃｕｒｖｅ，－６ｗｉｔｈａｄｅｖｉｃｅｃｕｒｒｅｎｔｏｆａｐｐｒｏｘｉｍａｔｅｌｙ１０Ａａｎｄｃｏｍｐ