太阳能多晶硅.DOC

太阳能多晶硅 REC 申请号=CN200820036508.7 名称=一种多晶硅用石墨 申请（专利权）人=倪宝达 发明（设计）人=倪宝达 申请日=2008.05.28 地址=211400江苏省仪征市大仪镇兴仪南街 摘要=一种多晶硅用石墨，涉及一太阳能光利用技术领域，特别是用于制造多 晶硅材料的耐高温模具。本实用新型在主体的前端连体设置带有锥头的连接 头，在主体的后端设置内凹的锥台。主体后端的锥台即为模腔，前端是用于 连接的连接头，本实用新型的结构符合实际生产使用要求，用于多晶硅生产， 可完全符合耐高温、精度高的要求。 REC 申请号=C名称=一种定向凝固生长太阳能电池用的多晶硅锭工艺 申请（专利权）人=复旦大学 发明（设计）人=唐厚舜;佘夕同 申请日=1985.04.01 地址=上海市邯郸路220号 摘要=本发明属于半导体材料硅晶体的制备。以高性 能的石墨块组合成模具，用去离子水等作调料，将经 处理的氮化硅粉料调成糊状，作脱模剂，用氩气和氮 气为气氛，熔化时模具悬挂，凝固时模具支撑在水冷 却的下转轴上，在下降模具的同时增大冷却水流速， 使熔硅从模具底始定向凝固。使用本发明可得无气 孔、无裂缝的完整方锭，晶粒呈柱状，晶宽达毫米级， 掺杂可控，制作的太阳能电池性能良好，全面积转换 效率最佳值达11.3％。 REC 申请号=CN200710105737.X 名称=一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法 申请（专利权）人=晶湛（南昌）科技有限公司; 发明（设计）人=罗应明;郭力 申请日=2007.05.29 地址=330013江西省南昌市南昌经济技术开发区黄家湖西路 摘要=一种太阳能多晶硅原料提纯制备方法，首先将经还原处理的金属硅粉碎，再用王水、氢氟酸进行酸洗，酸洗后送入单晶硅提拉炉熔融后进行提拉，利用单晶硅提拉炉抽真空设施隔离空气提纯，经粗提后的多晶硅材料进入区熔炉，使区熔炉内形成区间温度梯度，运用热趋法排除硅渣杂质，即可得到高于99.9999％纯度的多晶硅原料。本发明的优点是：充分利用传统工艺设备如单晶硅提拉炉、区熔炉并无需进行改造，就能达到大幅度降低能耗和提升产能；其工艺步骤少，操作简单，适用于任何型式的单晶硅提拉炉。 REC 申请号=CN200610079572.9 名称=高效率太阳能电池 申请（专利权）人=唐春芳 发明（设计）人=唐春芳 申请日=2006.05.04 地址=214183江苏省无锡市惠山区玉祁镇唐家宕206号 摘要=高效率太阳能电池涉及太阳能电池领域。在支架 (2)上制造下框架(3)，再在下框架上安装反光镜(5)，在下框架 的上面处制造上框架(1)。再把单晶硅或多晶硅(6)制成长方形， 然后间隔地逐块把单晶硅或多晶硅安装在上框架(1)上。这样装 好后，在每对单晶硅或多晶硅之间有间隙(4)。太阳光照在单晶 硅或多晶硅的正面上时，单晶硅或多晶硅的正面就发电，太阳 光穿过间隙照在反光镜上，反光镜再把太阳光反射到单晶硅或 多晶硅的反面上，单晶硅或多晶硅的下表面就发电，本高效率 太阳能电池的正反面都发电，而现行太阳能电池只有正面发 电，从而使高效率太阳能电池达到了多晶硅或单晶硅的下表面 也被太阳光照射到、也发出电流的、发电效率高的目的。 REC 申请号=C0 名称=从超高纯石英材料冶炼并直接铸锭的设备及至切片制取太阳能级硅片的工艺 申请（专利权）人=解青华 发明（设计）人=解青华 申请日=1996.09.09 地址=310012浙江省杭州市九莲新村22幢75号101室 摘要=从超高纯石英材料(石英砂或/和石英制品废料) 经过电炉冶炼获得的熔硅直接进行铸锭定向凝固成无开裂多 晶硅锭的设备及至脱模取出硅锭后直接切片的工艺,以作为生 产多晶硅太阳能电池的硅片材料。这是一种低成本生产多晶硅 太阳能电池材料的新方法,可以大大降低生产多晶硅太阳电池 的成本,或者采用此项新方法来获得专业生产多晶硅片的较高 利润,另一方面也可以成为大大提高天然超高纯石英砂以及某 些石英制品废料的利用价值的途径。 REC 申请号=CX 名称=安全标志灯 申请（专利权）人=张俊兴 发明（设计）人=张俊兴 申请日=1990.05.29 地址=233000安徽省蚌埠市中荣街154号 摘要=本实用新型提供一种安全标志灯。它采用了用 光伏技术生产的大面积、低照度多晶硅太阳能电池和 免维护铅酸蓄电池做电源，用外触发喷镀银电极闪光 灯做光源，先进的半导体器件组成控制电路。具有耗 能低、光照度强、控制线路安全可靠的优点，整机工作 电流白天低于15mA，夜间在110mA左右，闪光灯平 均功率不足1瓦时，闪光一次电能量为0.5焦耳，灯 管寿命为1×10SUP7/SUP次，蓄电池可三年免维护。这种标 志灯能适应各种恶劣的工