太阳电池用晶体硅切割片检验规则-陕西省质量技术监督局.DOC

前 言 本标准我产品实际本标准。 本标准由归口。 本标准由、、、负责起草。 本标准主要起草人、、。 本标准为首次发布。 本标准规定了太阳电池用硅片太阳电池用GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1553-2009 硅和锗体内少数载流子寿命 光电导衰减法 GB/T 1554-2009 硅晶体完整性 化学择优腐蚀检验方法 GB/T 1555-2009 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 6617-2009 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 GB/T 6618-2009 硅片厚度和总厚度变化的测试方法 GB/T 6619-2009 GB/T 6620-2009 硅片翘曲度的非接触式测试方法 GB/T 2828 GB/T 11073-2009 硅片径向电阻率变化的测量方法 GB/T 14264-2009 半导体材料术语 YS/T 28-1992 硅片包装 SEMI MF1535-2007 用微波反射光电导衰减法非接触测量硅片载流子复合寿命的测试方法 DB61/T XXX-2010 太阳电池用单晶硅棒检验规则 术语和定义 GB/T 14264-2009界定的以及下列术语和定义适用于本标准。为了便于使用，以下重复列出了某些术语和定义。 3.1 线痕 saw mark 硅片在线切割过程中产生的切割痕迹。 3.2 晶片厚度 thickness of slices 晶片中心点的厚度。[GB/T 14264-2009,定义3.252] 对于本标准为硅片厚度。 3.3 总厚度变化（TTV） total thickness variation 晶片厚度的最大值与最小值间的差。[GB/T 14264-2009,定义3.255] 4 技术要求 4.1 硅片表面质量 表面质量要求见表1。 表1 硅片表面质量 项目 最大缺陷限度 线痕 2mm 外缘1mm 表面沾污 边缘 每片2个，最大到mm，深mm 不接受贝壳状崩边。 崩边/缺口 /鱼尾纹 无 图1 表2 硅片用准正方形硅单晶棒（或锭）的断面尺寸 单位为毫米 标称尺寸 尺寸 A（边长） B（直径） C（弦长） D（倒角投影） 125×125 125±0.5 150±0.5 82.9±1 21.05±1 125×125 125±0.5 165±0.5 107.7±1 8.66 ±1 156×156 156±0.5 200±0.5 125.1±1 15.43±1 4.2.2 硅片厚度和总厚度变化 硅片厚度应在150μm0μm的范围μm、220μm；但用户有特殊要求时，由供需双方商定。总厚度变化（TTV）30μm。0μm。 翘曲度μm。 4.3.2 硅片径向电阻率变化 硅片径向电阻率变化要求见表3。 表3 电性能参数 导电类型 电阻率 Ω.cm 径向电阻率变化 /% 少数载流子寿命 /μs 晶向 P 一档 二档 三档 ≤15 ≥10 100±3 0.5～1 1～3 3～6 N 0.5～20 ≤20 ≥60 100±3 4.3.3 硅单晶导电类型 硅单晶 4.3.4 硅单晶少数载流子寿命 硅单晶 4.4 硅单晶晶体完整性 硅单晶晶体完整性一般由位错密度指标反映，其位错密度应不大于3000个/cm2。 4.5 硅单晶晶向 硅单晶包装箱外标志： a） 需方名称、地； b） 产品名称； c） 产品件数； d）e） 供方名称、地。 YS/T 28的要求，内包装容器应清洗后干燥，组合包装用聚氯乙烯、缓冲用。特殊包装要求供需双方商定。产品应贮存在清洁、干燥环境中 5.2 试样 若需进行硅片的电性能试验，其试样应按对应试验（或测试）方法标准制备。型式检验的合格样品不应作为合格品交付需方。 5.3 表面质量 在检验面光照度不小于800Lux、硅片距双眼约30cm～50cm距离条件下，目测。 5.4 规格与尺寸 规格与尺寸由相应的硅锭保证，用游标卡尺（精度0.02mm）测量。 5.5 硅片厚度和总厚度变化 硅片厚度和总厚度变化GB/T 6618的扫描式测量。 5.6 弯曲度 硅片GB/T 6619的非接触式测量。 5.7 翘曲度 硅片GB/T 6620。 5.8 电阻率 硅硅硅单晶硅单晶SEMI MF1535-2007，推荐按SEMI MF1535-2007测试。 5.12 晶体完整性 硅单晶硅单晶.1 检验分类 检验分为型式检验和交收检验。为了检验硅片是否符合本标准要求，应进行型式检验和交收检验。 6.2 检验的简化及保证要求 6.2.1 硅片的导电类型、晶体完整性、硅单晶