实验5电晶体特性.PDF

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2017-06-24 发布于天津
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实验5电晶体特性

實驗五雙接面電晶體 (BJT)特性及偏壓一、實驗目的了解雙接面電晶體(BJT)共射極(CE)放大器電路之偏壓設計及特性，並以電路實現之。二、相關原理 C(集極) C(集極) N P B(基極) B(基極) C C 基-集接面基-集接面 P N 基-射接面基-射接面 N P B B E(射極) E(射極) E E (a) NPN (b) PNP (a)NPN (b) PNP 圖2-1 雙接面電晶體結構圖2-2 電晶體符號雙接面電晶體結構及符號如圖2-1 圖2-2 所示，其中NPN 電晶體較為常用因為 NPN 速度較快且為正邏輯(Hi active) ，電晶體在工作區時需CB 間違逆偏壓BE 間為順偏壓，對NPN 而言VcVbVe 如圖2-3 所示 R1 R2 R1 R2 順偏逆偏順偏逆偏 (a) NPN 偏壓 (b)PNP 偏壓圖2-3 電晶體工作區之偏壓圖2-4 電晶體偏壓電路電晶體在工作區時其電流及電壓關係如下: I C I B , (1) IE I C IB (1)IB (2) V 0.7V (3) BEsat V V V 0.7 I BB BE BB B R R (4) BB BB V V I R CE CC C C (5) 電晶體特性實驗及偏壓設計圖2-5 特性實驗電路圖圖2-6 電晶體特性曲線圖量測特性曲線圖時，須如圖2-5 所示調整RB 使IB 固定，逐漸增加Vcc 分別量測 Vce 及Ic 直到Ic 達到飽和，將不同IB 所量測的特性繪製成