微电子技术-西南科技大学理学院.DOC

《微电子技术》课程教学大纲 (microelectronics technology) 课程编号：163990580 学 分：3 学 时：48 （其中：讲课学时：48 实验学时：0 上机学时： 0 ） 先修课程：半导体器件与集成电路 后续课程：无 适用专业：应用物理 开课部门：理学院 一、课程的性质本课程属于。通过本课程的学习使学生对的基本和有比较全面、系统的认识培养学生分析和解决问题的能力。半导体工艺技术基本工艺步骤半导体工艺技术基本工艺步骤基本工艺步骤基本工艺步骤基本工艺步骤晶体生长技术砷化镓晶体的生长技术晶体生长技术砷化镓晶体的生长技术砷化镓晶体的生长技术热氧化过程氧化过程中的杂质再分布二氧化硅的掩模特性氧化质量氧化层厚度特性氧化模拟氧化过程氧化氧化基本工艺步骤热氧化过程中的杂质再分布二氧化硅的掩模特性氧化过程二氧化硅的掩模特性氧化质量氧化层厚度特性氧化模拟工艺步骤外延生长技术外延层结构及缺陷电介质淀积多晶硅淀积金属化外延生长技术外延层结构及缺陷电介质淀积外延生长电介质淀积多晶硅淀积金属化技术技术基本工艺步骤技术技术基本工艺步骤外延生长电介质淀积多晶硅淀积金属化无源单元双极型工艺MOS技术MESFET技术MEMS技术工艺模拟双极型工艺MOS技术MOS技术MESFET技术MEMS技术无源单元双极型工艺双极型MOS技术双极型MOS技术MOS技术双极型MOS技术技术基本工艺无源单元双极型工艺MOS技术双极型MOS技术双极型工艺MOS技术电测试封装统计工艺控制统计实验设计成品率计算机集成制造双极型工艺MOS技术电测试封装MOS技术MESFET技术电测试封装统计工艺控制统计实验设计成品率计算机集成制造双极型MOS技术MOS技术双极型MOS技术技术电测试封装统计工艺控制统计实验设计MOS技术半导体工业所面临的挑战片上系统　半导体工业所面临的挑战半导体工业所面临的挑战半导体工业所面临的挑战半导体工业所面临的挑战半导体工业所面临的挑战半导体工业所面临的挑战半导体工业所面临的挑战学时分配0 0 3 第2章 晶体生长 2 0 0 2 第3章　硅的氧化　0 0 5 第4章　光刻 6 0 0 6 第5章　刻蚀 3 0 0 3 第6章　 扩散6 0 0 6 第7章　 离子注入0 0 6 第8章　 薄膜淀积 第9章　 工艺集成 第10章　集成电路制造 第11章　未来趋势和挑战 0 0 48 四、教学方法建议 运用多媒体教学手段，理论与实验室实例相结合的手段进行教学。 五、考核模式与成绩评定办法 采取出试卷考试与平时课堂演讲方式相结合，成绩评定为百分制。 六、选用教材和主要参考书 1.选用教材： 《半导体制造工艺基础》，施敏、梅凯瑞；安徽大学出版社，2007年 2.推荐参考书： 《微电子工艺基础》，李薇薇、王胜利、刘玉玲；化学工业出版社，2007年 《半导体制造基础》，施敏；人民邮电出版社，2007年 七、大纲说明 本门课程采用多媒体与板书相结合的授课方式。 该课程是应用物理（微电子）专业的一门专业课，在教学中提倡特色教学，精选内容，打好基础，加强实践，培养学生的思维能力、动手能力、理论结合实践能力。教学中注意结合教学内容适量安排综合习题，要求学生及时、独立完成，以达到巩固所学内容之目的。 撰写人：刘德雄 审定人：唐金龙 批准人：周自刚 执行时间：2012年7月