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期末考题目卷ex20110117
半導體材料與元件期末考
2011/01/17 19:00
中興大學奈米科學研究所 /物理系 孫允武
注意事項：
1.總分 170 分，試題共6頁。
2.請依題次作答並標明題次。
3. CLOSE BOOK!!
4.時間 110 分鐘。
5.你可能需要的數據及公式：
AqD n2 AqD n2 Q Q
n i p i q / kT p n 10 -3
i e D
1 , for Si, n =1.0×10 cm
D L N L N i
n A p D p n
I
S
2 V V 1 1 x 12
Si bi D d
xd , Cj , 1.05 10 F/cm
Si
q N A N D Si
kT N N
V ln A D , kT/q=25.8mV
bi 2
q ni
C T I
d D
V
T
MOSFET 之公式：
2
I =(W/L)k ( V -V ) /2; I =(W/L)k ( V -V -V /2) V 。 k=C 。
D GS t D GS t DS DS ox
（for NMOS ）, 。
V V 2 V 2 2 qN C
t t 0 p S subs p Si A ox
2qN (2 )
A s p
2
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