温度梯度溶液生长法制备x＝0．2的CdZnxTe晶体及性能研究.PDF

: 王 东 等 温度梯度溶液生长法制备 的 晶体及性能研究 　 x＝０．２ Cd ZnTe １－x x １２７７ 温度梯度溶液生长法制备 的 晶体 x＝０．２ Cd ZnTe １－x x 及性能研究∗ , , , , , , , 王 东 闵嘉华 梁小燕 孙孝翔 刘伟伟 李 辉 张继军 王林军 　 　 ( , ) 上海大学 材料科学与工程学院 上海 ２０００７２ [ ] : ( ) . １１ ( 摘 要 利用温度梯度溶液生长法 在较低 度 等 采用 溶剂的移动加热器法 　 　 TGSG Roy Te traveＧ 生长温度下制备了掺 和掺 的 的 , )生 长 晶体, Al In x＝０．２ Cd lin heatermethod THM CdZnTe １－x g , , , ZnTe晶体 晶体起始生长温度约为 １２２３K 温度梯度 CdZnTe探测器性能得到大幅提高 但是为使 THM x / , /. 为２０~３０K cm 坩埚的下降速度为 １mm h 采用红 晶体生长过程中结晶界面和溶解界面的溶质输运达到 、 、 ( / , ( /), 外显微镜 傅里叶红外光谱仪 扫描电镜能谱仪 SEM 稳态平衡 晶体生长速度慢 ５mm d 降低了晶体生 ) 、 . ( ) 和 测试分别研究了晶体中的 夹杂相 红 长效率 温度梯度溶液生长法 具有生长温度 EDS IＧV Te TGSG 、 . 、 , 外透过率 Zn组分分布和电阻率 结果显示 CdZnTe 低 生长速率快的优势 且多晶料的合成和晶体的生长 、 , . 晶锭初始生长区 稳定生长区的 夹杂相密度分别为 在同一个石英坩埚内 减少了二次装料引入的杂质 Te