电子学I第08回随堂讲义(教师用本).DOC

第 8 回　5-1~5-2 第1部分　重點整理 1. 施加　偏壓　的主要目的是使電晶體的傳導，能在特性曲線的作用區內操作，以利交流信號作正確之放大。 2.穩定的工作電壓與電流對應在特性曲線上的點，稱為　工作點　，簡稱Q點。 3.工作點不宜選擇在太靠近截止點或飽和點，而應選擇在　負載　線的中間，否則易造成波幅失真。 4.電路元件與工作點之關係(1) 當與固定時，若值愈大，則愈小，負載線斜率　不變　，但工作點往　右下　移動而靠近　截止　點。 (2)當與固定時，若值愈大，則愈小，飽和點愈小，負載線斜率　愈小　，易進入飽和區。 (3)當與值固定時，若愈高，則飽和點變大，負載線斜率　不變　，且工作點往　上　移動。 5.共射極CE放大電路偏壓的供給方式分別有　固定　偏壓、　射極　回授偏壓、分壓偏壓和　集極　回授偏壓四種，其中以　固定　偏壓受β改變影響最大。 6.電晶體放大器工作在正常偏壓下，射極電流＝　基極　電流＋　集極　電流。 7.工作點受溫度影響而漂移的因素有三種，分別是　β　、　　和　　，其中以　β　的影響最大。 (1) 矽電晶體β值為　正溫度　係數，會隨溫度　上升　而增大。 (2) 矽電晶體ICO值為　正溫度　係數，會隨溫度每上升10°C時，ICO增加2倍。 (3) 矽電晶體VBE值為　負溫度　係數，會隨溫度每上升1°C而降低　2.5mV　。 8.共射極組態電路中，輸出集極特性曲線間之間隙，會隨溫度的上升而　增大　。 9.共射極固定偏壓電路(1) 輸入迴路：VCC－IBRB－VBE＝0 (2) 輸出迴路：VCC－ICRC－VCE＝0 (3) 電流關係：IC＝βIB 飽和條件：IB≧IC(sat)，＝　0.2V　， (5) 穩定因數：S＝1＋β 固定偏壓法的偏壓穩定性　最差　，易受溫度影響。 10.電晶體工作區域條件 若βIB＞IC(sat)＝IC，電晶體在　飽和　區工作。 (2) 若βIB＝IC＜IC(sat)，電晶體在　作用　區工作。 11.穩定因數定義： S1＝S（ICO）＝ (2) S2＝S（VBE）＝ (3) S3＝S（β）＝ 12.共集極固定偏壓電路(1) 由於共集極組態電路之射極電壓會跟隨基極訊號電壓而變，一般又稱為　射極　隨耦器。 (2)具　電壓　串聯負回授作用，以穩定電路。 (3) 輸入迴路：VCC－IBRB－VBE－IERE＝0 (4) 輸出迴路：VCC－VCE－IERE＝0 (5) 電流關係：IE＝(1＋β)IB (6) 射極電壓：VE＝IERE (7) 飽和電流：IC(sat)≒ (8) 飽和電壓：VCE(sat)＝　0.2V　 13.當＝0（　射極　開路）時，因的逆向偏壓，致使集、基極迴路會有一微量漏電流形成，稱為集－基極逆向飽和電流，簡稱或。 14.共基極CB組態放大電路(1) 穩定因數：S＝1 (2) 輸入迴路：VEE－VBE－IERE＝0 (3) 輸出迴路：VCC－ICRC－VCB＝0 (4) 電流關係：IC＝αIE ＊（D ） 1.當溫度上升時，電晶體電流IC會隨之上升的影響因為　(A)ICO　(B)β　(C)VBE　(D)以上三項皆有影響。 （C ） 2.如圖所示，若提高電路中之，則直流負載線的斜率將會產生何種變化？　(A)變小　(B)變大　(C)不變　(D)先變大再變小。 圖圖（C ） 3.如圖(2)所示，假設電晶體VBE忽略不計，則下列敘述何者正確？　(A)β＝50　(B)RB＝50kΩ　(C)RC＝2.5kΩ　(D)VCC＝10V。 （B ） 4.下列方程式中，何者可代表共基極CB組態電路的直流輸出負載線方程式？　(A)RC－VBE＝0　(B)RC－VCB＝0　(C)RC－VCE＝0　(D)－VCB＝0。 （C ） 5.下列方程式中，何者可代表共射極電路的直流負載線方程式？(A)VCC－ICRC－VBE＝0　(B)RC－VBC＝0　(C)RC－VCE＝0　(D)－VBE＝0。 （A ） 6.在共射極CE組態電路中，下列何種偏壓方式在溫度變化時，穩定性最差？　(A)固定偏壓　(B)自給偏壓　(C)基極分壓，射極偏壓　(D)射極接地偏壓。 （A ） 7.如圖所示，假設原工作點為Q點，則當電阻變小時，其新的工作點應近似於哪一點？　(A)A點　(B)B點　(C)C點　(D)D點。 圖圖（B ） 8.如圖所示，假設原工作點在位置，若欲修正工作點至位置，則電路應如何調整？　(A)減少(B)增加　(C)減少　(D)增加。 （D ） 9.在共射極CE組態放大器中，假設電晶體為NPN型，且採用固定偏壓法，則溫度升高時，下列敘述何者正確？　(A)減少　(B)減少　(C)減少　(D)減少。 （A ）10.如圖(5)所示，已知矽質電晶體β＝100，RB＝200