电子学讲义 场效应电晶体 科 年级 班座号 姓名 . 一、电晶体： 1.符号 a .DOC

一、電晶體： 1.符號 a.PNP b.NPN 2.結構 a.射極( )：雜質摻雜濃度 ，負責 b.基極( )：雜質摻雜濃度 ，負責 c.集極( )：雜質摻雜濃度 ，負責 3.偏壓方式 工作區：BE接面 ，BC接面 接線圖 只要B-E間的偏壓超過障壁電位VBE，就會產生順向電流 ，通過基極時會有一小部分的電子與B極的電洞結合，形成 ，而B-C間的偏壓會使射極的其他電子到達集極，形成 Si的VBE = V ，Ge的VBE = V 飽和區：BE接面 ，BC接面 截止區：BE接面 ，BC接面 4.特性曲線 5.電流關係 a. IE= b. IC= IB電流放大率(( c. IC= IE= d.α與 β的關係 FET和BJT之差異 FET(場效應電晶體) BJT(雙極性電晶體) 導通電流控制 傳導電流 輸入阻抗 偏移電位 雜音 受輻射影響 熱穩定性 增益-頻寬乘積 工作速率 熱跑脫現象 體積 高頻響應 三、FET之分類 1.接面場效電晶體( ) n通道-載流體為 VGS 　　　　　　　　　　　 P通道-載流體為 VGS 2.金氧半場效電體( ) a.空乏型( 裝置) n通道─增強工作VGS  　　　　　　　　　 　　 空乏工作VGS 　　　　　　　　　　 p通道─增強工作VGS 　　　　　　　　　　　　　 空乏工作VGS b.增強型( 裝置) n通道　VGS 　　　　　　　　　　　　　　　　 　　 VGS 　　　　　　　　 　　 p通道　VGS c.互補式金氧半場效電晶體( ) 3.V型場效電晶體( ) 四、JFET(接面場效應電晶體) 1.結構、 a.n通道 b.p通道 2.工作原理 VDD提供VDS產生ID電流，VGG提供VGS，使通道產生空乏區，通道寬度 ，ID A.VGS=0時 a.VDGVGS， PN b.VDS ， ID， ID維持定值，稱為 IDSS c.VDS ，使閘極接面之逆向電壓達崩潰點，VD=BVDSS B.VDS固定 a.VGS ， ， ID b.VGS ，夾止現象愈早發生 C.P通道之偏壓反之 3.直流偏壓 A.固定偏壓 　 VGS= VDS= 圖解法： RG提供閘極直流通路∵IG很小(nA)∴VG= (1)畫出負載線 　 在ID=0時，VDS= 　　　　 在VDS=0時，ID= 　　　將兩點連接即得負載線 (2)算出相對值VGS之ID IDQ= (3)由IDQ可算出VDSQ值 VDSQ= B.自給偏壓－較實用 　 VGS= 利用轉換特性曲線求偏壓點 RS固定VGS由ID決定 令ID=0， VGS=A點 令ID=某值， VGS=B點 連接A、B偏壓線與曲線相交點為 C.分壓式偏壓 VG=VGG= VGSQ= 求出偏壓線 求出相對VGS值之IDQ值 算出VDQ= VSQ= ，VDQS=VDQ-VSQ= 空乏型MOSFET 1.符號、結構 a.n通道 b.p通道 2.工作原理(以N通道說明，P通道偏壓反之) VGS0，ID －空乏模式 VGS0， 更多的電子到通道中，通道變 ，電阻 ，ID －增強模式 VGS=0，加入適當